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討論新聞主題﹕安森美半導體推出HighQ IPD製程技術

新聞 提要
安森美半導體（ON Semiconductor）宣佈擴充先進製程技術，提供HighQ銅整合被動元件(IPD, Integrated Passive Device)製造服務，這個創新的八吋晶圓技術可以提供比較簡單的矽銅技術更高的效能，但在成本上卻比昂貴的超高效能砷化鎵-金被動產品要低上許多。安森美半導體的HighQ IPD製程技術相當適合用來生產被動元件，例如便攜式與無線應用產品中需要更高效能以便取得更長電池使用時間的平衡非平衡轉換器、耦合器以及濾波器等。 「直到現在，設計工程師在為電路設計選用元件時，還是經常得為了要提供具有價格競爭力的消費性產品而必須在效能上做出犧牲。」安森美半導體製造服務業務總經理Rich Carruth表示，「砷化鎵-金被動元件製程雖然能夠提供較好的效能表現，但卻由於成本太高而無法應用在大量生產的消費性產品，例如行動電話與其他無線設備上

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