<
帳號：
密碼：

討論新聞主題﹕快捷半導體推出最佳化功率MOSFET產品

新聞 提要
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）近日宣布，推出最佳化功率MOSFET產品UniFET II MOSFET以應需求。新產品具有更佳的寄生二極體和更低的開關損耗，並可在二極體復原dv/dt模式下承受雙倍電流應力。 快捷半導體的UniFET II MOSFET之逆向復原性能較其它解決方案提升50%。如果逆向復原速度較慢，則無法處理高逆向復原電流尖峰，導致更高的開關損耗，以及功率MOSFET過熱。而快捷半導體的解決方案則能夠承受較現有解決方案高兩倍以上的電流應力。 UniFET II MOSFET元件以快捷半導體的進階平面技術為基礎，能夠提供更佳的品質因數（FOM）（FOM: RDS(ON) * Qg）、更低的輸入和輸出電容，以及最出色的逆向復原性能，同時具有高效率

發表新主題
主題：
文章內容：
  確認碼:  
  一般討論區
一般討論區
新聞報導論壇
活動消息論壇
專欄評析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章論述論壇
軟體應用論壇
產品應用論壇
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技術應用區
電子技術類：
電腦科技類：
網際科技類：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw