<
帳號：
密碼：

討論新聞主題﹕東芝新一代600V平面MOSFET系列 結合高效率及低雜訊

新聞 提要
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。 第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，但同時又保持了相同水準效率。它提供更大的設計自由度進而助於減少設計的工作量，可應用於筆電AC變壓器及遊戲機充電器中的小型電源供應器和照明電源供應器。另外，此系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流，可輕鬆取代現有的MOSFET。 東芝為擴大第九代π-MOS系列之產品陣容，往後將陸續推出更多500V、 600V和650V元件，提供客戶更多產品選擇。

發表新主題
主題：
文章內容：
  確認碼:  
  一般討論區
一般討論區
新聞報導論壇
活動消息論壇
專欄評析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章論述論壇
軟體應用論壇
產品應用論壇
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技術應用區
電子技術類：
電腦科技類：
網際科技類：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw