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討論新聞主題﹕力旺電子NeoMTP成功導入格芯130nm BCDLite及BCD製程平台

新聞 提要
力旺電子今日宣佈，其嵌入式可多次編寫(MTP)記憶體矽智財NeoMTP已成功導入格芯130nm BCD與BCDLite製程平台，專攻消費性及車用市場，以及日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求。 力旺目前在格芯130nm BCD與BCDLite製程平台開發的NeoMTP矽智財皆符合車規驗證標準AEC-Q100 Grade 1，並將進一步在已驗証之平台佈局升級版的二代NeoMTP，於不同的平台分別提供符合車規驗證標準AEC-Q100 Grade 1與AEC-Q100 Grade 0之二代NeoMTP。 符合AEC-Q100 Grade 1之NeoMTP操作溫度可達150°C，在溫度區間(-40°C~150°C)編寫達1,000次，並能在125°C的高溫下維持10年以上的資料留存之優異性能，同時，其2.5V-5.5V優於一般工作範圍的操作電壓區間及低功耗、高速讀取等特性，有利於客戶在產品設計上具備彈性及競爭力，未來符合AEC-Q100 Grade 0之NeoMTP操作溫度更可高達175°C

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