<
帳號:
密碼:

討論新聞主題﹕英飛凌推出OptiMOS源極底置25V功率MOSFET 採用PQFN 3.3x3.3mm封裝

新聞 提要
英飛凌科技持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰,透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置(Source Down)是符合業界標準的全新封裝概念,英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率MOSFET–採用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS 25V。這款裝置在MOSFET性能方面樹立了新的產業標竿,不僅導通電阻降低,還具有業界領先的散熱管理指標,其應用範圍非常廣泛,包括:馬達驅動、SMPS(包括伺服器、電信和OR-ing)及電池管理等。 新封裝概念將源極(而非傳統的汲極)與導熱片相連。除了實現新的PCB布局,更有助於實現更高的功率密度和性能。目前推出兩種不同封裝的版本:分別是源極底置標準閘極(Standard-Gate)和源極底置置中閘極(Center-Gate)的PQFN 3.3x3.3mm封裝

發表新主題
主題:
文章內容:
  確認碼:  
  一般討論區
一般討論區
新聞報導論壇
活動消息論壇
專欄評析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章論述論壇
軟體應用論壇
產品應用論壇
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技術應用區
電子技術類:
電腦科技類:
網際科技類:
軟體資源類:
 
刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2020 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw