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討論新聞主題﹕盛美半導體推出先進儲存器應用的18腔單晶圓清洗設備

新聞 提要
新型Ultra C VI系統充分利用盛美已被驗證的多腔體技術,為儲存器製造商提高產能並降低成本。 先進半導體設備供應商盛美半導體設備近日發布Ultra C VI單晶圓清洗設備,此為Ultra C清洗系列的新品。Ultra C VI旨在對動態隨機存取儲存器(DRAM)和3D NAND閃存晶圓進行高產能清洗,以實現縮短儲存產品的生產周期。這款新品以盛美成熟的多腔體技術為基礎,進一步擴展了清洗設備產品線。Ultra C VI系統配備了18個單片清洗腔體,對比盛美現有的12腔設備Ultra C V系統,其腔體數及產能增加了50%,而其設備寬度不變只是設備長度有少量增加。 「儲存產品的複雜度不斷提高,但仍然對產量有嚴格的要求

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