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討論新聞主題﹕Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合

新聞 提要
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準。 新元件採用碳化矽基氮化鎵技術製造，提供高功率密度和產量的組合，可在高壓下運行，255℃接面溫度下使用壽命超過100萬小時，與所有Microchip 的GaN射頻功率產品一致。這些產品包括覆蓋2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化鎵MMIC，3dB壓縮點（P3dB）射頻輸出功率高達20W，效率高達25%，以及用於S和X波段的裸晶和封裝氮化鎵MMIC放大器，PAE高達60%，以及覆蓋直流至14 GHz的分離高電子遷移率電晶體（HEMT）元件，P3dB射頻輸出功率高達100W，最大效率為70%

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