利用磁電阻特性來儲存資料的磁電阻式隨機存取記憶體（MRAM），具有低耗電、非揮發、半永久性等優點，將有可能取代目前種類繁多的記憶體，成為裝置內唯一的儲存媒介，使得未來的晶片設計僅需運算單元與MRAM。目前MRAM的技術與成本已逐漸成熟，進入市場的時間將指日可待。圖為工研院於2007台北國際秋季電子展中所展示的自製1MB MRAM晶片原型。（圖/HDC）