多鐵電(Multiferroic)是一種極特殊的材料，可同時具有電與磁的特性，並展現出複雜的晶格、自旋、電偶極交互作用等行為，是開發新一代電子元件的重要材料。日前，美國柏克萊大學的科學家，研究出一種新的多鐵電應用技術，透過該技術可產生、消除，甚至轉換P-N半導體接面（ｐ-ｎ junction），對於研發新一代半導體技術有絕對的幫助。圖為該技術的電磁攝影，右邊的矩型代表「ON」；左邊則是代表「OFF」。（圖/ Berkeley Lab）