半導體元件微小化，現行的製程技術與材料皆面臨極大的挑戰。傳統的PVD與CVD鍍膜也難以滿足在32nm以下的製程需求，而新興的原子層沈積(ALD)技術因其鍍膜厚度達原子級便漸成顯學。然而，目前的ALD技術採用鍺銻碲化物（GST）材料來當作鍍膜前趨物，但產生的溝槽結構仍未盡理想。日前科學家研發出一種使用碲、硒的混合物與金屬鹵化物的新技術，創造出相當完美的溝槽結構，對於次世代的奈米製程有絕對的幫助（圖/JAC）