東芝日前在2008年國際電子元件會議（IEDM）上公佈了目前世界上最小的SRAM。該技術為東芝、IBM及AMD所共同研發，其透過FinFET技術，並採用高電介質金屬柵極（High-K metal gate）材料，開發出面積僅為0.128平方微米的SRAM，是目前世界上最小的SRAM。東芝表示，這項產品將應用在對於電耗相當敏感的微型行動裝置上，包含手機等及其他未來的行動產品，其電耗將只有目前的一半左右。