光電轉換技術又有新突破。日本的科學家研發出一種新的PV晶片技術，他們在傳統的P型GaN薄膜上增添一層鈷，並將之製成N型的材料（圖右），而該晶片吸收層約為10x10mm，週圍長方型的是電極。圖左是無鈷的P型GaN薄膜。此新技術不但能吸收可見光，包含紅外線與紫外線都能轉換為電能，將有望生產無多重接點的高性能光電產品。（圖/Physorg）