美國科學家日前研究出一種生長化合半導體材料的新方法，可以一次生成多層的砷化鎵（GaAs）堆疊。透過這項技術，未來光伏或光電元件的製造將變得更容易，成本也可大幅降低。目前該團隊已經將此厚膜的技術發展成熟，下一步將接著把這方法推廣至其他化合物半導體材料如氮化鎵和磷化銦中。（圖/nanotech）