全球第一款純矽晶為基礎的電阻記憶體(Resistive RAM),日前由英國倫敦大學(UCL)研發成功,這個記憶體不僅可以在一般的環境溫度下運作,並有望開啟全新的超快記憶體時代。電阻記憶體的儲存性能比現有的快閃記憶體技術更強,不但體積更小,也更省電,對於目前的行動運算裝置來說,是更適合的儲存解決方案。(圖/UCL)