半导体组件微小化，现行的制程技术与材料皆面临极大的挑战。传统的PVD与CVD镀膜也难以满足在32nm以下的制程需求，而新兴的原子层沈积(ALD)技术因其镀膜厚度达原子级便渐成显学。然而，目前的ALD技术采用锗锑碲化物（GST）材料来当作镀膜前趋物，但产生的沟槽结构仍未尽理想。日前科学家研发出一种使用碲、硒的混合物与金属卤化物的新技术，创造出相当完美的沟槽结构，对于次世代的奈米制程有绝对的帮助（图/JAC）