美国科学家日前研究出一种生长化合半导体材料的新方法，可以一次生成多层的砷化镓（GaAs）堆栈。透过这项技术，未来光伏或光电组件的制造将变得更容易，成本也可大幅降低。目前该团队已经将此厚膜的技术发展成熟，下一步将接着把这方法推广至其他化合物半导体材料如氮化镓和磷化铟中。（图/nanotech）