利用磁电阻特性来储存数据的磁电阻式随机存取内存（MRAM），具有低耗电、非挥发、半永久性等优点，将有可能取代目前种类繁多的内存，成为装置内唯一的储存媒介，使得未来的芯片设计仅需运算单元与MRAM。目前MRAM的技术与成本已逐渐成熟，进入市场的时间将指日可待。图为工研院于2007台北国际秋季电子展中所展示的自制1MB MRAM芯片原型。（图/HDC）