相变内存的存取但由于需要使用较高功率的电源，因此较难应用在手机或可携式的装置上。日前，美国的科学家以奈米碳管结合GST克服了这个问题。他们先在奈米管中间制造出20~300 nm的微小缺口，并在缺口处填入GST材料，接上电源后，跨过碳管缺口的电场会将GST转变成结晶相，电阻降至约0.5 MΩ。（图/nanotech）