LED封裝技術及材料發展現況研討會

2007年11月28日 星期三 【科技日報報導】
活動名稱: LED封裝技術及材料發展現況研討會
開始時間: 十二月十一日(二) 10:00 結束時間: 十二月十一日(二) 17:00
主辦單位: 光電科技工業協進會
活動地點: 前瞻管理學院 D01會議室-台北縣新店市中興路3段3號4樓
聯絡人: 楊慧卿 小姐 聯絡電話: (02)2351-4026 分機 810
報名網頁:
相關網址: https://www.pida.org.tw/Seminar/Welcome~~.asp?SemiPKcode=1382&ActionYes=Yes

隨著LED的性能持續提高,應用市場也隨之擴大,隱藏在背後的原因是使用GaN、AllnGaP發光材料的高輝度LED,擁有長壽命、省電、耐震、低電壓驅動等優秀的特色,並且近年來陸續被研發出來的高發光效率LED更是超越燈泡和鹵素等,因此,面對未來相信高亮度LED的市場發展將會更為快速與廣泛。

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LED的封裝除了保護內部LED晶片之外,還兼具LED晶片與外部電氣連接、散熱等功能。LED封裝必需具備高強度、高絕緣性、高熱傳導性與高反射性,接合劑的包覆面積與LED晶片的面積幾乎相同,因此無法期待水平方向的熱擴散,只能寄望於垂直方向的高熱傳導性。一般認為未來若能提高熱傳導率低於氮化鋁和氧化鋁的反射率,對高功率LED的封裝材料具有正面助益。

因此新一代LED封裝所使用的材料,也陸續被業者所開發出來,目前最新的封裝材料大多都朝向利用矽來製作,對於這些材料的優劣特性,將會在此次的研討會中,由Dow Corning Toray 新事業・電子材料事業本部研究開發第一部光關連材料Group Leader中田稔樹先生,一一詳盡分析。


關鍵字: 封裝   光電科技工業協進會 ( 光電協會 )   中田稔樹   LED   封裝材料類