IGZO TFT (Indium Gallium Zinc Oxide氧化銦鎵鋅)為在TFT-LCD主動層上，打上1層金屬氧化物。與傳統a-Si(非晶矽)相比，IGZO可縮小電晶體尺寸，提高液晶面板畫素的開口率，解析度倍增，並擁有10倍電子遷移率。此外，IGZO不必如LTPS TFT一樣需要複雜的雷射退火製程與高昂的光罩成本，同時可沿用舊有傳統a-Si TFT製程設備，因此被業界看好將成為未來高解析度中小尺寸液晶面板，甚至高階大尺寸面板的趨勢。本次課程將針對IGZO面板技術及專利作深入的探討並介紹其最新發展，期望能提升台灣廠商在未來IGZO TFT技術的競爭力。

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09:30-10:50

2012全球面板產業趨勢與IGZO應用發展

友達光電 石宗祥 副理(邀請中)

10:50-11:00

休息時間

11:00-12:20

Oxide TFT的關鍵專利分析與技術

金屬工業研究發展中心 翁敏航 副組長

12:20-13:30

午餐

13:30-16:30

平面顯示器用IGZO的最新技術

1.前言

2.IGZO用真空濺鍍裝置

3.IGZO靶材(Target)

4.實驗數據

5.總結

（株）ULVAC千葉超材料研究所

第1研究部第3研究室

倉田 敬臣 室長

※現場備有日文即時口譯※

【注意事項】：

1.主辦單位得因不可抗拒因素，保留調整課程內容之權利

2.為尊重講師之智慧財產權益，恕無法提供課程電子檔

※主辦單位：社團法人台灣電子設備協會(TEEIA)

※協辦單位：初芝科技股份有限公司

※舉辦時間：101年10月24日(三)　09:30~16:30

※舉辦地點：集思竹科會議中心(新竹科學園區工業東二路一號)

※報名費用：非會員3,500元/人(費用皆含稅及講義，請勿另扣除郵資及匯兌手續費)，凡於10/24前報名並繳費完成者，享3,000元/人。TEEIA會員廠商2,800元/人。

※本案聯絡人：TEEIA蔡宗佑先生 TEL:02-27293933 FAX：02-27293950

e-mail：registration@teeia.org.tw