2008年12月04日 星期四	【科技日報李旻潔報導】

Vishay推出兩款20V和30V n通道元件，擴展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。這些元件採用TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達45%，大幅降低切換損耗及提高切換速度。

20V SiS426DN元件採用3mmX3mm尺寸的PowerPAK 1212-8封裝，可為限定電壓設備提供較低的導通電阻與柵極電荷乘積。在4.5V及10V時柵極電荷分別降低45%與36%，FOM降低50%。

這些元件將在同步降壓轉換器中用作高端MOSFET，通過使用負載點功率轉換有助於節省筆記型電腦、穩壓器模組、伺服器與其他系統的功耗。