2009年06月29日 星期一	【科技日報林佳穎報導】

英飛凌科技宣佈推出下一代 600V CoolMOS C6 系列高效能MOSFET。 600V CoolMOS C6 系列產品上市後，將可使功率因素校正 (PFC) 或脈寬調變級 (PWM stage) 等能源轉換應用更具節能效益。 新的 C6 技術結合了最新超接面或補償裝置等多項優勢，包含超低區域特定導通電阻（例如 TO-220 封裝僅 99mOhm），並且能夠降低電容切換損耗，而且切換動作控制簡易，體二極體 (body diode) 也極為堅固耐用。

英飛凌推出下一代 CoolMOS MOSFET，結合超接面技術的效益和傳統高電壓裝置的優勢

C6 系列產品是英飛凌的第五代 CoolMOS MOSFET。 有了 CoolMOS C3 和 CoolMOS CP 等上一代系列產品的開發經驗，英飛凌已持續提升切換速度，並降低導通電阻。 CoolMOS C3 裝置具備多樣化的功能，CP 系列產品則適用於需要最高切換速度及最低 RDS(on) 的封裝相關專屬應用。

英飛凌全新的 600V CoolMOS C6 裝置結合了前述兩項產品的精華， 舉例來說，電源供應器製造商可受惠於超接面 CP 系列產品的好處，例如極低的電容損耗和超低區域特定 RDS(on) 值，使電源供應器更具效率、體積更小、重量更輕且散熱更好。 同時，還可有效控制電路板上的切換動作，並且大幅提升對抗寄生電感和電容的強度，相較於以 CP 系列產品為主的設計，將可簡化系統的佈線。

CoolMOS C6 系列產品具備上一代 CoolMOS C3 的簡單易用和節能效益，同時額外提升輕負荷 (light load) 效能，將使其成為硬式切換應用的基準。 此外，輸出電容所儲存的超低電力和硬式整流耐變性，也讓此裝置適用於共振切換 (resonant switching) 應用。