2010年03月25日 星期四	【科技日報劉筱萍報導】

Diodes近日宣佈，推出第一批採用其微型PowerDI5表面安裝封裝的雙極電晶體。應用Diodes第五代矩陣射極技術，這些率先問世的12款NPN和PNP電晶體，能夠為設計人員大幅提高功率密度和減少解決方案的體積。

PowerDI5的面積只有26平方毫米，電路板空間比SOT223封裝減少47%，也比DPAK封裝減少了60%；並且，離板高度只有1.1毫米的PowerDI5，相較於1.65毫米高的SOT223封裝和2.3毫米高的DPAK封裝顯得更加輕薄。

PowerDI5最小的銅板電功率額定值（minimum copper power rating）為0.74W。它在25 x 25毫米的銅和FR4物料上的75ºC/W額定熱電阻提供了1.7W的電功率，使其在熱性能的表現上遙遙領先，並取代了SOT223封裝在許多應用上的地位。

第一批採用新型PowerDI5封裝的NPN和PNP電晶體，適用於數據通訊、電信、馬達驅動和電池充電器等相關應用上。

新型元件DXT2013P5、DXT2014P5和DXTP03200BP5的額定電壓分別為100V、140V和200V。它們的低飽和電壓和具有快速切換開關的特性，有助於改善用戶接線口電路的直流–直流轉換器（SLIC DC-DC converter）效率。在線性電池充電器中，具有低飽電壓的20V DXTP19020DP5能夠確保充電器即使在較低的輸入電壓下，也能夠把電池完全充滿。

額定電壓為100V的DXTN07100BP5，透過小巧的封裝體積和低熱阻滿足48V穩壓器應用的需要；DXT5551P5則可作為電信線性驅動器，在需要比較高電壓的環境下，滿足長距離通訊線路的需求。