2011年01月27日 星期四	【科技日報報導】

快捷半導體（Fairchild Semiconductor）近日宣布，推出最佳化功率MOSFET產品UniFET II MOSFET以應需求。新產品具有更佳的寄生二極體和更低的開關損耗，並可在二極體復原dv/dt模式下承受雙倍電流應力。

快捷半導體推出最佳化功率MOSFET產品

快捷半導體的UniFET II MOSFET之逆向復原性能較其它解決方案提升50%。如果逆向復原速度較慢，則無法處理高逆向復原電流尖峰，導致更高的開關損耗，以及功率MOSFET過熱。而快捷半導體的解決方案則能夠承受較現有解決方案高兩倍以上的電流應力。

UniFET II MOSFET元件以快捷半導體的進階平面技術為基礎，能夠提供更佳的品質因數（FOM）（FOM: RDS(ON) * Qg）、更低的輸入和輸出電容，以及最出色的逆向復原性能，同時具有高效率。而且，這些MOSFET元件在小型封裝中容納了大量的功率，但不會產生過多的熱量，所以能夠提升用於液晶體電視和電漿電視的SMPS，以及用於照明系統、電腦電源、伺服器和電訊電源的SMPS應用的整體效率。