2017年04月18日 星期二	【科技日報陳復霞整理報導】

【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出採用 D2PAK 7pin+封裝的40 V MOSFET，讓 StrongIRFET系列產品更臻完備。全新MOSFET系列提供極低的 0.65 mΩ RDS(on)以及高電流輸送能力，因此提升耐用性與可靠性，適用於需要高效率與可靠性的高功率密度應用。表面黏著 D2PAK 7pin+ 封裝則適用於低電壓驅動、電池供電工具以及輕型電動車應用。

英飛凌全新 D2PAK 7pin+封裝產品讓封裝類型已相當多元的 StrongIRFET 系列更加豐富，亦為因應各種設計挑戰提供理想的功率元件選項。

全新 D2PAK 7pin+ 封裝產品讓封裝類型已相當多元的 StrongIRFET 系列更加豐富，亦為因應各種設計挑戰提供理想的功率元件選項。另外，此新款封裝可互換腳位配置亦提供了前所未有的設計彈性。相較於標準 D2PAK 7pin 封裝，此全新系列可提供低 15% 的 RDS(on)，以及低 39% 的接面至 PCB 熱阻。

此封裝經最佳化，可使用的裸晶面積增加 20%，而外型尺寸與腳位配置則與標準 D2PAK 7pin 相同。因此可輕鬆取代傳統的D2PAK 7pin與H2PAK封裝。另外，此封裝的設計在具有邏輯位準的臨界電壓，可從微控制器直接驅動MOSFET。如此可節省 PCB 空間，特別是電池供電的工具，PCB空間經常是受到限制的設計因素。

採用 D2PAK 7pin+ 封裝的 StrongIRFET 已開始供貨。