2018年04月17日 星期二	【科技日報報導】

致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈，旗下品佳集團將推出英飛凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技術。

此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現，並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求，進一步提升可靠性和降低系統成本。

根據多年於碳化矽半導體的開發經驗，全新MOSFET採用先進的溝槽半導體製程，為英飛凌於CoolSiC系列產品上的最新突破。首款分離式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻（RDS(ON)）額定值為45 mΩ。此產品將採用3接腳和4接腳TO-247封裝，4接腳封裝上有個額外的源極連接端子，作為門極驅動的訊號接腳，以消除源極電感所導致的降壓影響，也有助於降低開關損耗，特別是在更高的開關頻率時。

此外，英飛凌還推出以碳化矽MOSFET技術為基礎的1200 V Easy1B半橋式與升壓器模組。其採用Press-FIT連接，具有良好的熱介面、低雜散電感和堅固的設計，每種封裝的模組均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)額定值。

產品特色

英飛凌的CoolSiC MOSFET採用溝槽技術，可靠性高且效能優良，同時也降低了動態損耗，相較於1200V矽（Si）IGBT有明顯降低。該MOSFET對於通常應用於驅動IGBT的+15 V/-5 V電壓完全相容，其結合了4V基準閾值額定電壓（Vth）、目標應用要求的短路穩健度和可完全管控的dv/dt電壓，與矽IGBT相較下，其優勢包括低溫度係數的開關損耗和無閾值電壓的靜態特性。

這些電晶體如同IGBT一樣易於控制，在發生故障時得以安全地關閉，此外，英飛凌碳化矽MOSFET技術可以透過柵極電阻調節改變開關速度，因此能提升電磁相容（EMC）的效能。

產品應用

目前主要在改善太陽能光伏逆變器、不斷電（UPS）或充電／儲能系統等應用系統的階段，此後可將其範圍擴大到工業變頻器。