2020年07月17日 星期五	【科技日報報導】

英飛凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了250kW以上（此為矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應用的大門。相較於一般的62mm IGBT模組，碳化矽的應用範圍更擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。

該62mm模組配備了英飛凌CoolSiC MOSFET，可實現極高的電流密度，分別提供6mΩ/250A，3mΩ/357A和2mΩ/500A型號選擇。

該62mm模組配備了英飛凌CoolSiC MOSFET ，可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和導通損耗可減小散熱元件尺寸。在高開關頻率下運作時，可使用更小的磁性元件。透過英飛凌CoolSiC晶片技術，客戶可以設計出尺寸更小的變頻器，從而降低整體系統成本。

新產品採用62mm標準基板和螺絲固定方式，具有高強固性的外殼結構設計，且設計經過最佳化，可達到最高的系統可用性，同時降低維修成本以及停機損失。出色的溫度循環能力和150°C的連續工作溫度（T_vjop），帶來出色的系統可靠性。其對稱性的內部設計，能讓上下開關達到相同的切換條件。亦可選配「熱介面材料」（TIM），以進一步提高模組的熱效能。

採用62mm封裝的CoolSiCMOSFET 1200 V分別提供6mΩ/250A、3mΩ/357A和2mΩ/500A 型號選擇。另外還推出有助快速特性化(雙脈衝/連續作業) 的評估板，為便於使用，還提供了可彈性調整的閘極電壓和閘極電阻。此外，還可作為批量生產驅動器板的參考設計。