2010年06月28日 星期一	【科技日報報導】

英飛凌（Infineon）日前宣佈推出全新650V CoolMOS C6/E6高效能場效電晶體（MOSFET），結合先進超接面（super junction）技術，低導通電阻以及降低電容切換損失之優勢、簡單易用的切換控制以及高度耐用的二極體。C6和E6系列採用相同的技術平台，前者是專為簡單易用而設計，後者則提供最高的效率。

英飛凌推出 650V CoolMOS™ C6/E6 高壓電晶體，為交換式應用產品提供效率及簡易的控制

CoolMOS C6/E6系列是英飛凌所推出，採用高壓超接面技術MOSFET的第六代產品。新款650V CoolMOS C6/E6產品提供快速且可控制的切換效能，支援對效率及功率密度有高度需求的應用。650V CoolMOS C6/E6產品易於進行設計（design-in），非常適用於各種節能的交換式應用，例如筆記型電腦的變壓器、太陽能以及其他需要額外擊穿電壓電位差的SMPS應用產品。

相較於CoolMOS C3 650V系列，新款650V CoolMOS C6/E6系列的輸出電容（Eoss）可減少儲存電力達 20%，而 C6/E6經過改良的本體二極體，在對抗硬式整流（hard commutation）時，顯示高度的耐變性，並可減少25%的逆向回復電荷。C6/E6系列產品的閘級電阻經過調整，設計能夠維持平衡，因此切換時不會出現過電壓及電流斜率。