![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌與光寶科技簽訂合作備忘錄 助台歐新創企業?化雙邊鏈結 (2024.08.12) 英飛凌科技與光寶科技宣布,將加強雙方新創計畫間的合作交流。兩家公司於日前簽署一份合作備忘錄,旨在串接起兩家公司的新創平台,並透過拓展雙方與新創團隊群之間的交流與資源共享,建立雙方互補互利的夥伴關係,進而加速旗下新創企業的創新能力並拓展國際網絡 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
100%綠電運營 英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08) 英飛凌科技宣布,其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後,該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽(SiC)功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行啟用儀式 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌攜手聯發科推出創新智慧座艙方案 為智慧移動提升安全性 (2024.08.05) 汽車儀表板上的按鈕和控制器正逐漸消失,趨向數位座艙發展,先進的顯示器將取而代之。作為車輛中的關鍵系統之一,數位座艙系統需要為車輛使用者提供高性能,同時滿足功能安全目標 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌首屆科技日落幕 展示數位低碳及永續領域解決方案 (2024.07.29) 英飛凌科技首屆科技日x趨勢論壇。活動以「數位低碳、共創未來」為主軸,聚焦AI 與移動出行,全面展示英飛凌在數位低碳及永續領域的技術與產品,以及與生態圈合作夥伴在綠色能源、工業、智慧家居、電動汽車等應用市場共同創新的解決方案 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程 (2024.07.11) 根據Yole Group預測,氮化鎵(GaN)市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓(HV)與中電壓(MV)CoolGaN產品,讓客戶可以在更廣泛的應用領域中,採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置,推動數位化與低碳化進程 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌新款XENSIV感測器擴展板搭載智慧家居應用溫溼度感測器 (2024.07.02) 英飛凌科技(Infineon)推出基於Arduino的XENSIV感測器擴展板,這是一款專為評估智慧家居和各種消費應用中的智慧感測器系統而設計的多功能工具。新型擴展板將整合英飛凌豐富的感測器產品與Sensirion的SHT35濕度和溫度感測器 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌CYW5591x 系列無線通訊微控制器助力物聯網設備 (2024.07.01) 英飛凌科技(Infineon)整合強大的長距離 Wi-Fi 6/6E 與低功耗藍牙5.4 以及安全功能,推出全新 AIROC CYW5591x無線通訊微控制器(MCU)產品系列。此為智慧家居、工業、穿戴式裝置和其他物聯網應用打造成本更低且更節能的小尺寸產品 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌為客戶提供產品碳足跡資料 助力低碳化轉型 (2024.06.30) 英飛凌科技宣布,將率先為客戶提供完整的產品碳足跡(PCF)資訊,成為半導體領域的先驅,公司的最終目標是提供全面產品組合的碳足跡資訊,目前英飛凌已可為其半數的產品組合提供碳足跡資料 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26) 隨著人工智慧(AI)處理器對功率的要求日益提高,伺服器電源(PSU)必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率,因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年,每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌發布高能效AI 資料中心電源供應單元產品路線圖 (2024.05.24) 人工智慧(AI)的發展推升全球資料中心的能源需求,並凸顯伺服器對於高效率及可靠的能源供應的重要性。英飛凌科技(Infineon)宣布在AI系統的能源供應領域開啟新篇章,並揭示針對AI資料中心當前和未來能源需求的特定設計電源供應單元(PSU)路線圖 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌可編程設計高壓 PSoC 4 HVMS系列適用於智慧感測應用 (2024.05.15) 在汽車產業中,資訊安全與功能安全的重要性增升,同時汽車製造商正在用觸控介面取代機械按鈕,實現簡潔的座艙和方向盤。因此,電子電路的空間受到很大限制,需要高度整合、外形精簡的積體電路(IC) |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌PSOC Edge E8x微控制器可滿足新PSA 4級認證要求 (2024.05.13) 嵌入式安全為物聯網(IoT)應用部署的重要領域之一,英飛凌科技(Infineon)新款PSOC Edge E8x MCU 產品系列設計達到嵌入式安全框架—平台安全架構認證(PSA Certified)計畫中的最高認證級別 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19) 近年來全球光儲系統(PV-ES)市場快速增長。光儲市場競爭加速,提高功率密度成為廠商得勝關鍵;英飛凌科技(Infineon)為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件,共同推動綠色能源發展 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16) 英飛凌科技(Infineon)推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高,和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌榮獲群光電能頒發「氮化鎵策略合作夥伴獎」 (2024.04.15) 群光電能(Chicony Power;簡稱群電)宣布其年度合作夥伴英飛凌科技(Infineon)脫穎而出,榮獲2023年度「氮化鎵策略合作夥伴獎」。英飛凌憑藉其運用於筆電、電競、伺服器與儲存設備等資通訊(ICT)應用的氮化鎵(GaN)電源供應器解決方案 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29) 英飛凌科技(Infineon)推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET,以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式(DAB)、HERIC、降壓/升壓和相移全橋(PSFB)拓撲結構進行了優化 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性 (2024.03.28) 英飛凌科技(Infineon)推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET產品系列,全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動堆高機等應用提供出色的性能。新款MOSFET產品的導通損耗和開關性能都更加優化,降低電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益於用於伺服器、電信、儲能系統(ESS)、音訊、太陽能等用途的各種開關應用 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組 (2024.03.22) 隨著 USB-C PD 充電技術逐漸普及,帶動整體消費市場對相容性強的充電器的需求提高。因此使用者需要功能強大而又設計精簡的適配器。英飛凌科技(Infineon)推出二次側控制 ZVS 返馳式轉換器晶片組 EZ-PD PAG2,由 EZ-PD PAG2P 和 EZ-PD PAG2S組合,並整合USB PD、同步整流器和 PWM 控制器 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14) 英飛凌科技(Infineon)推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置,除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13) 英飛凌科技宣佈與 Worksport合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |