 |
Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
|
安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計 |
|
Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間 |
|
安森美美國碳化矽工廠落成 提供客戶必要供應保證 (2022.08.12)
安森美（onsemi），美國時間8月11日舉行了剪綵儀式，慶祝其位於新罕布什爾州哈德遜（Hudson, New Hampshire）的碳化矽（SiC）工廠的落成。
該廠區將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數也將成長近四倍 |
|
東芝新建12吋晶圓廠 擴大功率半導體產能 (2022.02.06)
東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓製造廠，主要用於生產功率半導體。該廠預計於2024財年開始量產，整體供應的產能將會是目前的2.5倍。
東芝指出，新晶圓廠的建設將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在 2024 財年開始 |
|
盛美半導體推出大功率元件製造的薄片清洗設備 零接觸製造優化良率 (2020.09.23)
半導體製造與先進晶圓級封裝設備供應商盛美半導體設備近日推出了新款薄型晶圓清洗系統，這是一款高產能的四腔系統，可應用於單晶圓濕法製程，包括清洗、蝕刻、去膠和表面濕法減薄 |
|
安森美半導體推出先進汽車照明的LED驅動器和控制器 (2020.02.05)
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor）推出由四個裝置組成的新系列，促進汽車廠商和消費者現在所期望的汽車外部和內部照明的高水平性能和創新功能。新系列專門針對低功率固態照明，包括兩個LED驅動器（NCV7683和NCV7685）和兩個電流控制器（NCV7691和NCV7692） |
|
Diodes的雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝並提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體，採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小，可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路，提供更高的功率密度設計 |
 |
Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2，比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能 |
|
IR擴充堅固可靠600V節能溝道IGBT系列 (2014.05.19)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充節能600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列，並提供多種封裝選擇。全新堅固可靠的IRxx46xx 元件系列為從小型馬達及低負載產品以至工業應用的完整功率應用範圍作出優化，包括不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用 |
|
[評析]沒有退路的FPGA與晶圓代工業者 (2014.01.02)
Xilinx（賽靈思）與Altera在先進製程之間的激戰，在Xilinx宣佈新一代架構Ultrascale的FPGA產品以台積電的20奈米導入量產後，其戰況開始產生了微妙的變化。很明顯的，扣除ARM兩邊陣營都討好外 |
|
[白皮書]如何為您的設計選擇最佳音訊放大器 (2013.07.08)
音訊市場的需求一直在變化，相對地，市場上也有很多種不同類型的音訊放大器結構可供選擇。為了替您的設計選擇最適合的音訊放大器IC，了解每一種音訊放大器的特點和它們之間的關聯性至關重要 |
|
採用三閘極3D技術的新一代FPGA (2013.07.07)
2013年2月，Altera和英特爾(Intel)共同宣佈新一代Altera的高性能FPGA產品將獨家採用英特爾的14奈米3D三閘極電晶體技術。這代表著FPGA也已跨入3D電晶體世代了。
全球領先的半導體公司都不斷地針對3D電晶體結構進行最佳化和可製造性研究 |
|
Silicon Labs數位隔離解決方案提升馬達控制的長期可靠性 (2013.05.09)
高效能類比與混合訊號IC領導廠商Silicon Labs今日宣佈推出業界首款基於CMOS技術的數位解決方案，可直接替換光耦合隔離式閘極驅動器（簡稱光耦合驅動器）。新型Si826x隔離式閘極驅動器支援高達5kV隔離等級和10kV電湧保護 |
|
IR推出更強線上IGBT產品選擇及效能評估工具 (2013.03.13)
功率半導體廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 提升絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 選擇工具的效能，藉以優化馬達驅動器、不斷電供應系統 (UPS)、太陽能逆變器及焊接等多種應用的設計 |
|
IR擴充600V溝道超高速IGBT陣容 (2013.02.21)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣容，推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以優化不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用 |
|
Intel 22奈米Soc行動晶片 明年蓄勢待發 (2012.12.12)
面對行動裝置設備這塊大餅，Intel最近可說是動作頻頻，不僅對外宣布採用的新一代Tri-Gate 3D立體電晶體技術架構的22奈米製程技術，已經能夠生產智慧手機與平板電腦所使用的SoC，並預計將於2013年年中運用此製程技術開始量產Atom處理器 |
|
快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極SiC電晶體技術 |
|
快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極SiC電晶體技術 |
|
IR Gen8 1200V IGBT技術平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。
Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性 |
