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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁（AlN）／氮化鎵（GaN）金屬—絕緣體—半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率 |
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大聯大詮鼎推出高效超薄型200W LED驅動電源方案 (2022.09.15)
大聯大控股宣佈，其旗下詮鼎推出基於英諾賽科（Innoscience）INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動電源方案。
隨著人們對燈具品質的要求越來越高，傳統的LED驅動器已經無法滿足小而薄的燈具設計 |
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法國「電子2030」開幕儀式於意法半導體Crolles工廠舉行 (2022.07.19)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）宣布，日前法國「電子2030」計畫（Electronique 2030）開幕儀式在法國格勒諾布爾（Grenoble）附近之結合研發、製造為一體的意法半導體Crolles工廠舉行 |
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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
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Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品 |
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Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準 |
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貳陸公司（II-VI）以購併、協議串接垂直供應鏈 (2021.11.22)
美國雷射光學元件設計製造商貳陸公司（II-VI）是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司，甚至還自行開發SiC長晶等設備。台灣在化合物半導體的應用仍在萌芽階段，初期若也能同步發展設備與製程，將可帶動效益倍增 |
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EPC推出40 V eGaN FET 因應高功率密度電訊、網通和運算解?方案 (2021.11.01)
EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場效應電晶體 （eGaN FET），元件型號?EPC2067，專?設計人員而設。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用於高性能且空間受限的應用。
宜普電源轉換公司（EPC）是增?型矽基氮化鎵功率電晶體和積體電路的全球領導者 |
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2021年全球GaN功率廠出貨排名預測 納微半導體以29%居冠 (2021.09.30)
根據TrendForce研究顯示，受惠於消費性快充產品需求快速上升，如手機品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭，憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進，使GaN功率市場成為第三代半導體產業中產值上升最快速的類別，預估2021年營收將達8,300萬美元，年增率高達73% |
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TI推出最新GaN技術 攜手台達打造高效能伺服器電源供應器 (2021.09.26)
德州儀器（TI）宣佈，其氮化鎵（GaN）技術和 C2000 即時微控制器（MCU），輔以台達的電力電子核心技術，為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器（PSU） |
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英飛凌攜手Panasonic 共同加速650 V GaN功率裝置技術發展 (2021.09.06)
英飛凌科技和 Panasonic 公司，已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約，基於已獲認可接受的GaN技術，Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。
為了因應市場需求，Gen2 將會開發為 650 V GaN HEMT |
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科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈，與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作，結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器，和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的無線容量，可支援更多人同時使用，並且提高了資料傳輸速度 |
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Microchip推出衛星通訊終端高線性度Ka波段MMIC (2021.06.22)
衛星通訊系統使用複雜的調變方案，以實現極快的資料速率以用於傳遞視訊和寬頻資料。因此，它們必須具備高射頻輸出功率，同時確保訊號能保持其理想的特性。Microchip Technology Inc.今日宣佈推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，能在不影響射頻功率或訊號準確度的情況下充分滿足上述要求 |
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Cree | Wolfspeed推出X頻段雷達元件系列 提高RF功率性能 (2021.04.20)
碳化矽技術開發大廠Cree | Wolfspeed宣布擴展其無線射頻(RF)解決方案陣容，推出四款新型碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)單晶微波積體電路(MMIC)元件，適用於各種脈衝陣列和X頻段連續波相位陣列應用，包括船載航海雷達、氣象監測雷達和新興的無人機系統雷達 |
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TI新款車用GaN FET 提供高電源效率且密度加倍 (2020.11.11)
德州儀器（TI）拓展其高壓電源管理產品組合，推出適用於汽車及工業應用的650-V 及 600-V 氮化鎵場效電晶體（GaN FET），整合快速開關的 2.2-MHz 閘極驅動器，相較於既有解決方案，其能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達99%，且電磁尺寸縮小59% |
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TI最新車用GaN FET 整合驅動器、保護功能與主動式電源管理 (2020.11.11)
德州儀器（TI）近日拓展其高壓電源管理產品組合，推出適用於汽車及工業應用的650V及600V氮化鎵場效電晶體（GaN FET），整合快速開關的2.2MHz閘極驅動器，相較於既有解決方案，其能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達99%，且電磁尺寸縮小59% |
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MIC：2020年5G產業機會 三大應用與四大商機 (2019.09.19)
5G商用持續加速，2019年全球已有32個國家約56家電信商宣佈部署5G網路，其中39家電信商已正式開通5G服務，預估2020年全球將有170家電信商提供5G商用服務，除了5G網路佈建帶來龐大的基礎設備商機，新興應用與關聯終端產品市場動能也蓄勢待發，而為了滿足5G高頻、高速特性，新材料與零組件相關需求也受到矚目 |
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CREE投資10億美元 擴大SiC碳化矽產能 (2019.05.08)
Cree 宣佈，將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能，在公司美國總部北卡羅萊納州特勒姆市建造一座採用最先進技術的自動化200mm SiC碳化矽生產工廠和一座材料超級工廠。
該項目為該公司至今最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化鎵業務提供動能 |
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MACOM攜手意法半導體提升矽基氮化鎵產能以支援5G無線網路建設 (2019.03.07)
MACOM和意法半導體將在2019年擴大ST工廠在150mm矽基氮化鎵的產能，而200mm的矽基氮化鎵依需求擴產。該擴產計畫旨在支援全球5G電信網建設，其基於2018年初MACOM和ST所宣佈達成的矽基氮化鎵協議 |
