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ST新款SPI介面串列式EEPROM 採用SO8窄封裝 (2007.08.03)
串列式非揮發性記憶體IC廠商意法半導體（ST），宣佈推出一款新的1-Mbit串列式EEPROM，M95M01支援SPI（串列式周邊介面）匯流排並採用寬度僅為150-mil（3.8mm）的微型SO8N封裝──目前市場上第一個SPI串列式EEPROM將如此高容量的記憶體擠進在如此小的封裝內 |
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Spansion推出用於手機的快閃記憶體解決方案 (2007.01.23)
快閃記憶體解決方案供應商Spansion發表一款65奈米MirrorBit ORNAND解決方案樣品，為高階多媒體手機中的資料儲存提供最佳化的解決方案。此解決方案由Spansion位於德州奧斯丁的旗艦廠Fab25製造 |
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XPM—非揮發性記憶體的新前端技術 (2006.11.22)
Kilopass的Super Permanent Memory 或XPM 技術的建構是使用標準、商業上通用的CMOS 邏輯製程技術、已完成晶片之實際驗證，可提供一高密度傳輸、高效能及高可信度的可現場編程嵌入式NVM 解決方案 |
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聯華電子與美商Impinj合作推出0.18及0.13微米製程的邏輯非揮發性記憶體核心 (2006.11.22)
幾個大型的高成長半導體市場，例如顯示器驅動器，電源管理控制器，射頻晶片，以及安全介質應用產品等，由於這些市場需要新產品特性與功能，因此帶動了對於低位元數(bit-count)嵌入式非揮發性記憶體的市場需求 |
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應變工程在非揮發性記憶體中的應用 (2006.11.22)
應變工程一直在整個工業界中得到技術人員的廣泛採用，以避開電晶體的等比縮小極限和提高90nm和65nm邏輯技術的量產表現。通過引入膜應力高達～3 Gpa的氧化物、氮化物和SiGe，表明技術上已經取得了重大進展 |
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奇夢達正式公開發行股票 每股13美元 (2006.08.10)
英飛凌科技(Infineon Technologies AG)和奇夢達(Qimonda AG)公司與主辦承辦商，今天在紐約共同確定奇夢達公司首次公開發行(IPO)的價格及發行規模。首次公開發行的價格為每股美國存託股票(American Depository Share, ADS)13美元，每股ADS對應一股奇夢達普通股 |
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SanDisk任吳家榮先生為駐港亞太區總經理 (2006.03.06)
全球快閃記憶體廠商SanDisk公司宣佈吳家榮先生 (Gavin Wu) 於 2005 年 12 月獲委任為 SanDisk 公司駐港亞太區總經理，負責透過零售分銷和 OEM 管道，將 SanDisk 的記憶卡、USB 儲存產品 (Cruzer 品牌) 和 MP3 機 (Sansa 品牌) 業務拓展至公司業務增長最快的亞太地區 |
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ST發表高性能128Mbit串列快閃記憶體元件 (2006.03.02)
ST發表了全新的128Mbit串列快閃記憶體元件M25P128，主要瞄準需要高性能、低成本程式碼儲存方案的廣泛電腦及消費性應用。新的128Mbit元件擴充了ST現有從512Kbit到64Mbit的程式碼儲存產品線，同時是市場上首先達到此一儲存密度的快閃記憶體元件 |
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英特爾積極擴產以奪回Flash第一大廠寶座 (2004.06.07)
據外電報導，英特爾為奪回全球快閃記憶體（Flash）第一大廠寶座，已於2月份開始積極進行擴產動作，計劃在2004年將Flash產能提升3倍，並在2006年進一步提升產能10倍以上 |
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年底需求旺 快閃記憶體合約價持續上揚 (2003.12.02)
據南韓中央日報報導，MP3、隨身碟、數位相機等產品因年底旺季而需求大增，關鍵零組件快閃記憶體價格亦因供不應求而持續上揚，512M NAND型快閃記憶體合約價已從第二季的10美元上升至第四季的13美元 |
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市調機構預期Flash產值5年內超越DRAM (2003.12.01)
據經濟日報報導，由於記憶體業者南韓三星、海力士（Hynix）、力晶等2004年將大舉調撥產能在資料存取型快閃記憶體（Data Flash），大幅減少DRAM供給，預計該缺口將逾5％，而市調機構預期，未來五年Data Flash的複合成長率將超越DRAM，產值達150億美元規模 |
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Renesas將委託力晶代工生產快閃記憶體 (2003.11.19)
日本半導體大廠日立與三菱合資之瑞薩半導體（Renesas）日前宣布將應用於數位相機和行動電話的1Gb快閃記憶體晶片，委託台灣力晶半導體代工，以提高產量；瑞薩表示，力晶將於2004年4～9月開始量產高容量的AND型快閃記憶體 |
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東芝計畫增加資本支出以提升Flash與感測器產能 (2003.10.14)
據日本產經新聞報導，為迎合目前消費性電子市場包括數位相機、可照相手機等產品對記憶體之需求，東芝計畫追加設備以提升NAND型快閃記憶體（Flash）及CMOS影像感測器的產能 |
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2003下半年快閃記憶體市況將轉佳 (2003.07.21)
根據市調機構iSuppli最新報告指出，由於2003年上半亞洲爆發SARS疫情、美伊戰爭、以及全球經濟持續不景氣等幾項負面因素綜合影響，使得2003上半年全球快閃記憶體（Flash）出貨不如預期，但自2003下半年負面因素均已消失，整體快閃記憶體市場，可望有表現轉佳 |
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全球Flash市場競爭激烈 業者各擅勝場 (2003.06.10)
據市調機構iSuppli公佈的最新報告，全球快閃記憶體市場（Flash）的競爭日益劇烈，雖然前兩大供應商英特爾（Intel）及三星（Samsung）的排名不變，在NOR型與NAND型領域各擅勝場，但市佔率均有減少的趨勢 |
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Flash嚴重供過於求？ 業者紛提出反駁 (2003.05.14)
據Digitimes報導，儘管之前有市場分析師預期NAND型快閃記憶體（Flash）將因產能過剩而一路跌價至2004，然記憶體業者卻認為，此價格下滑現象反將刺激NAND型Flash需求逆向攀升 |
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全球Flash市場規模 2004年可望增至180億美元 (2003.03.18)
根據日經Eletronics的統計資料指出，2003年全球快閃記憶體（Flash）市場在手機與數位電視（DTV）等產品需求增加的帶動下，將可達到140億美元的規模，緊追在DRAM的150億美元之後；該機構並預估2004年快閃記憶體市場規模可望增至180億美元，正式超越DRAM |
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手機、DVD需求回溫 Flash合約價止跌 (2003.03.03)
據日本經濟新聞報導，NOR型快閃記憶體（Flash）合約價在2002年由年初的500日圓下滑至年底的355日圓後，今年在全球手機、DVD播放機（DVD Player）需求支撐下，終於開始止跌 |
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iSuppli預測快閃記憶體今年可成長9％ (2003.02.25)
據外電報導，由於PC出貨量成長與消費性電子產品之推動，2003年快閃記憶體（Flash）出貨量成長率預估可達9％；但NAND型Flash每百萬位元組的價格將下跌50～60％。
網站Silicon Strategies引用市調機構iSuppli的預測指出，2003年全球PC出貨量年成長率，將由先前預估的13 |
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快閃記憶體市場 2003年可望成長13.6％ (2003.01.16)
據工研院經資中心（IEK）的調查預測，連續兩年呈現衰退的快閃記憶體（Flash）市場，今年可望因行動電話及數位相機產品快速成長，而出現13.6％的成長，市場規模達92億美元 |
