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感測，無所不在 (2025.03.14)
從自動駕駛汽車到智慧家居，從工業機器人到無人機，越來越多的應用需要機器能夠感知和理解周圍的環境。而實現這一目標的關鍵，便是環境感知技術及其核心零組件。 |
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VLSI TSA研討會4月將登場 聚焦高效能運算、矽光子、量子計算 (2025.03.13)
隨著全球半導體技術持續推進，AI、量子計算、高效能運算（HPC）等技術發展正驅動產業革新，今年由工研院主辦第42年的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」（VLSI TSA），即將於4月21~24日於新竹國賓飯店登場 |
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2奈米製程競爭 台積電穩步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半導體製程技術的競賽中，2奈米製程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。台積電（TSMC）正在積極研發2奈米製程，於2024年開始試產，並計畫於2025年實現量產。台積電將在2奈米節點引入GAA（環繞柵極）奈米片晶體管技術，這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變 |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中，少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器，而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元，預計到2030年將增長至110億美元，預測期內的複合年增長率為15% |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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Microchip推出全新電動車充電器參考設計 滿足住宅和商業充電需求 (2024.08.08)
Microchip Technology今日發佈三款靈活、可擴展的電動汽車充電器參考設計，包括單相交流家用充電器、支援開放充電點協議（OCPP）和系統單晶片（SoC）的三相交流商用充電器以及支援OCPP 和顯示幕的三相交流商用充電器 |
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英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程 (2024.07.11)
根據Yole Group預測，氮化鎵（GaN）市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓（HV）與中電壓（MV）CoolGaN產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置，推動數位化與低碳化進程 |
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記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標 |
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FlexEnable柔性顯示技術創新產品目前已出貨 (2024.06.18)
開發和生產用於有源光學和顯示器的柔性有機電子產品供應商FlexEnable宣布，全球首款採用有機電晶體技術的量產消費電子產品已開始出貨。這款名為Ledger Stax的裝置是由法國市場領導者Ledger 開發的安全加密錢包 |
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安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計 |
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不斷進化的電力電子設計：先進模擬工具 (2024.03.22)
電力電子設計領域正在快速演進，引領著高速、高效元件的新時代；而突破性的模擬工具，重新定義了工程師對電力系統進行概念化、設計及驗證的方式。在虛擬原型設計中運用模擬工具，帶來了設計流程的重大變革 |
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意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性，意法半導體（STMicroelectronics）推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值 |
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Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間 |
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GE科學家展示超高溫SiC MOSFET效能 承受超過800 ℃ (2023.06.02)
來自通用電氣研究（GE Research）的科學家們創造了一項新記錄，展示可以承受超過溫度 800 ℃的金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）。這相較於之前已知的該技術演示高出 200℃，對於極端操作環境中未來應用深具潛力 |
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ICAA：以交流平台鏈結產業上下游夥伴 共謀智慧新未來 (2023.03.31)
近來ChatGPT引爆科技應用的無限想像，生成式人工智慧(Generative AI)所主導的新時代翩然到來。迎合新一階段的智慧化浪潮，智慧產業電腦物聯網協會(ICAA)與大聯大控股世平集團透過「智慧物聯 連接未來」交流會 |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手機電池保護電路模組 (2023.03.03)
為了滿足移動設備製造商多樣化和不斷變化，必須解決電源管理方面的需求，Magnachip半導體發布兩款第七代 MXT 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)，內置超短通道技術可用於智慧型手機中的電池保護電路模組 |
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東芝推出汽車 40V N 溝道功率 MOSFET採用新型高散熱封裝 (2023.01.31)
近年來，電動汽車的進展推動對於適應汽車設備功耗增加的組件的需求。東芝電子推出汽車40V N溝道功率 MOSFET—XPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它們使用新的 L-TOGL（大型晶體管外形鷗翼引線）封裝，並且具有高漏極電流額定值和低導通電阻，今日開始供貨 |
