帳號:
密碼:
相關物件共 2
(您查閱第 頁資料, 超過您的權限, 請免費註冊成為會員後, 才能使用!)
英特爾下世代電晶體微縮技術突破 鎖定應用於未來製程節點 (2023.12.12)
英特爾公開多項技術突破,為公司未來的製程藍圖保留了創新發展,凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM)上,英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)電晶體的最新進展
英特爾首推背部供電方案 實現90%單元利用率 (2023.06.06)
英特爾是首家在類產品的測試晶片上實作背部供電的公司,達成推動世界進入下個運算時代所需的效能。英特爾領先業界的晶片背部供電解決方案-PowerVia,將於2024上半年在Intel 20A製程節點推出


  十大熱門新聞
1 美光最低延遲創新主記憶體MRDIMM正式送樣
2 艾邁斯歐司朗與greenteg創新體溫監測技術 為耐力運動領域帶來新變革
3 明緯推出CF系列:12V/24V COB LED燈帶
4 Microchip多核心64位元微處理器支援智慧邊緣設計
5 Ceva蜂巢式物聯網平台整合至意法半導體NB-IoT工業模組
6 Basler新型 CXP-12線掃描相機具備8k和16k解析度
7 捷揚光電 全新4K錄播系統可提升多頻道NDI串流體驗
8 Emerson新型氣動閥提供自動化高度靈活性和優化流量
9 英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程
10 凌華OSM開放式系統模組開啟嵌入式運算新紀元

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw