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AI晶片電壓跌破1V！ 電源設計必須應對『低壓高流』時代 (2025.04.14)
隨著人工智慧（AI）技術的快速發展，生成式AI、深度學習和高效能運算（HPC）的需求激增，AI伺服器的電力需求也隨之大幅提升。特別是AI處理器（如GPU、TPU等）對供電的要求越來越嚴格，不僅需要超低電壓（0.6-1.5V），還必須提供大電流（數百至上千安培），同時確保高暫態響應和低紋波 |
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意法半導體公布公司層級轉型計畫 調整製造據點並優化全球成本 (2025.04.14)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）今日進一步公布其全球製造據點調整計畫的內容。這項行動是 2024 年 10 月所宣布轉型計畫的一部分 |
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意法半導體 65W 氮化鎵轉換器 提供節省空間的高效電源解決方案，適用於成本考量之應用 (2025.04.09)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之 VIPerGaN65D 反馳式轉換器採用 SOIC16 封裝，能提供極為小巧且具成本效益的電源供應、適配器以及支援 USB-PD（電力傳輸）快充功能的電源，最高可達 65W，並支援通用輸入電壓 |
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探討碳化矽如何改變能源系統 (2025.04.09)
碳化矽（SiC）已成為各產業提高效率和支援去碳化的基石。更是推動先進電力系統的要素之一，可因應全球對再生能源、電動車（EV）、資料中心和電網基礎設施日益增長的需求 |
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電動車充電革新與電源管理技術 (2025.04.08)
電動車充電需求的不斷提升，而電源管理晶片在整個系統中承擔著能量轉換、監控保護以及智能調度等多重功能，是保證充電安全、高效與智能化的關鍵組件。 |
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解析USB4測試挑戰 (2025.04.08)
從8K影音串流到工業物聯網，從電動車智能座艙到邊緣運算節點，這場由USB4介面所驅動的技術革命，正在重塑人類與數位世界的互動方式。 |
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馬自達與ROHM聯合開發採用次世代半導體的車載元件 (2025.03.31)
Mazda Motor Corporation（以下簡稱 馬自達）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱 ROHM）開始聯合開發採用次世代半導體技術—氮化鎵（GaN）功率半導體的車載元件。
馬自達與ROHM自2022年起，在「電驅動單元的開發與生產合作體系」中，一直在推進搭載碳化矽（SiC）功率半導體的逆變器聯合開發 |
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意法半導體 250W MasterGaN 參考設計加速高效與小型化工業電源供應器設計 (2025.03.19)
為加速設計具卓越效率與高功率密度的氮化鎵（GaN）電源供應器（PSUs），服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出了搭載 MasterGaN1L 系統封裝（SiP） 的 EVL250WMG1L 共振轉換器參考設計 |
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報告：2030年全球車用半導體年複合成長率達7.5% (2025.03.17)
根據Persistence的研究資料，受惠於電動車、先進駕駛輔助系統（ADAS）及車聯網技術，全球車用半導體產業迎來快速的發展。預計至2030年將以7.5%年複合成長率持續擴張，。
推動市場成長的關鍵因素多元且相互關聯：車輛電氣化已成為全球汽車產業的發展趨勢 |
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VLSI TSA研討會4月將登場 聚焦高效能運算、矽光子、量子計算 (2025.03.13)
隨著全球半導體技術持續推進，AI、量子計算、高效能運算（HPC）等技術發展正驅動產業革新，今年由工研院主辦第42年的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」（VLSI TSA），即將於4月21~24日於新竹國賓飯店登場 |
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科學家成功開發晶圓級單晶二維半導體合成法 (2025.03.05)
科學期刊《自然》日前發表了一篇新的半導體製程技術，科學家成功開發「下延」（hypotaxy）技術，可在任何基板上直接生長晶圓級單晶二維半導體，解決傳統合成方法的限制 |
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台荷攜手加速矽光子技術發展 HiSPA與PhotonDelta簽署合作備忘錄 (2025.02.25)
台灣與荷蘭在半導體產業的長期合作再創新頁！為加速矽光子技術的發展，國際矽光子異質整合聯盟（HiSPA）透過荷蘭在台辦事處（Netherlands Office Taipei, NLOT）的牽線，與荷蘭研發單位PhotonDelta於2月24日在國立台灣科技大學（NTUST）正式簽署合作備忘錄（MoU），建立夥伴關係，共同推動光積體電路（PIC）產業的成長 |
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ROHM 650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝 (2025.02.13)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支援大功率的應用領域被陸續採用 |
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電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。 |
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高功率元件的創新封裝與熱管理技術 (2025.02.10)
隨著高密度封裝和熱管理技術的進步，我們將看到更高效、更可靠的高功率元件應用於各不同產業，推動技術的持續演進。在這個挑戰與機遇並存的時代，持續的研發投入與技術創新將成為決勝關鍵 |
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高功率元件加速驅動電氣化未來：產業趨勢與挑戰 (2025.02.10)
高功率元件將成為實現全球電氣化未來的重要推動力。
產業需共同應對供應鏈挑戰、降低成本並提升技術創新速度。
最終助力實現更高效、更環保的全球能源管理體系 |
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工研院與台達開發SiC模組 搶攻高功率電子市場 (2025.02.08)
基於現今電動車為了符合低碳永續趨勢及續航力，兼顧在高壓、高溫下穩定運行，使得具備高功率密度的寬能隙化合物半導體（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成為該領域深受關注的元件材料 |
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超微型化仿生觸覺電子元件促進智慧皮膚更敏銳 (2025.01.21)
讓未來機器人在接觸時產生類似人類的敏銳反應機制找到了! 由國立中興大學生醫工程所林淑萍教授與物理所林彥甫教授領導的研究團隊，成功開發出一種以二維材料為基礎加以模仿人類觸覺機械受器的人工裝置，被稱為人工默克爾盤（Artificial Merkel Discs） |
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豐田合成GaN基板技術獲突破 功率元件性能大幅提升 (2025.01.08)
豐田合成株式會社近日宣布，其提升氮化鎵(GaN)基板性能的技術已獲得驗證，能有效改善功率元件性能。相關研究成果已發表於國際固態物理學期刊。
更優異的功率元件在電力調節方面扮演關鍵角色，對於減少社會碳排放至關重要 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
