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超高亮度Micro-LED突破綠光瓶頸 開啟顯示技術新紀元 (2024.12.15)
根據《nature》期刊，氮化鎵Micro-LED陣列亮度突破10x7尼特，實現高達1080×780像素的高密度微型顯示器。這一突破克服了晶圓級高質量磊晶生長、側壁鈍化、高效光子提取和精巧的鍵合技術等長期挑戰，為AR/VR設備、可穿戴設備和下一代消費電子產品帶來巨大優勢 |
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ROHM與台積公司在車載氮化鎵功率元件領域建立戰略合作夥伴關係 (2024.12.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）宣佈與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下簡稱 台積公司）在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家談論氮化鎵技術）探討GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度 |
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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2025國際固態電路研討會展科研實力 台灣20篇論文入選再創新高 (2024.11.26)
一年一度的國際固態電路研討會（ISSCC）將於2025年2月在美國舊金山舉行，被譽為晶片設計領域的奧林匹克大會，每年都展現出產學界創新的科研實力，台灣此次入選2025 ISSCC共計20篇論文 |
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筑波舉辦化合物半導體與矽光子技術研討會 引領智慧製造未來 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）攜手美商泰瑞達（Teradyne）近日舉辦年度壓軸「化合物半導體與矽光子技術研討會」。本次活動由國立陽明交通大學、中原大學電子工程學系共同主辦，打造產官學交流平台 |
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貿澤與ADI合作全新電子書探索電子設計電源效率與耐用性 (2024.11.13)
貿澤電子（Mouser Electronics）與美商亞德諾（ADI）合作出版全新的電子書，重點介紹最佳化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（為未來提供動力：實現效率和耐用性的進階電源解決方案）中，ADI和貿澤的主題專家針對電源系統中最重要的元件、架構和應用提供深入分析 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護，避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損，國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案，新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術，預告期至11月15日止 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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是德科技3kV高電壓晶圓測試系統專為功率半導體設計 (2024.10.15)
是德科技（Keysight）推出4881HV高電壓晶圓測試系統，擴展其半導體測試產品組合。該解決方案可實現高達3kV的參數測試，支援一次性完成高、低電壓測試，進而提高功率半導體製造商的生產效率 |
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數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型：電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會，此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用，即實現更高的能源效率和更快的產品創新 |
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英飛凌全新CoolGaN Drive產品系列整合驅動器單開關和半橋 (2024.09.20)
消費電子和工業應用領域正趨向便攜化、電氣化、輕量化等多樣化發展，因此需要緊湊高效的設計，同時還需採用非常規PCB設計，但此類設計面臨嚴格的空間限制，從而限制外部元件的使用 |
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英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展 |
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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中，少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器，而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元，預計到2030年將增長至110億美元，預測期內的複合年增長率為15% |
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100％綠電運營 英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08)
英飛凌科技宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行啟用儀式 |
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開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品，是來自德州儀器（TI）一款業界首創的650V三相智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）－「DRV7308」，適用於250W馬達驅動器應用。 |
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英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程 (2024.07.11)
根據Yole Group預測，氮化鎵（GaN）市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓（HV）與中電壓（MV）CoolGaN產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置，推動數位化與低碳化進程 |
