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明緯推出NGE100(U)系列:100W環球通用4埠USB氮化鎵快速充電器 (2024.03.28)
隨著大眾節能減碳的意識日漸提升,過去的電子裝置及充電器的充電介面規格不一,而衍生大量的電子廢棄物,在歐盟於2022年11月23日率先正式立法公告,自2024年12月28日起將強制要求手機、平板、相機、遊戲機、耳機等消費性手持式電子裝置充電介面須全面統一採用USB-C(Type C)
台英研發合作吸引群創及科磊等大廠加入 聚焦化合物半導體及下世代通訊 (2024.03.21)
經濟部日前攜手英國科學創新及技術部(DSIT)共同宣布雙方未來2年將投入新台幣6.5億元,推動雙邊產業科技研發。其中台方參與企業,包括群創光電、?通科技、永源科技等廠商;英方參與單位則有半導體大廠科磊子公司SPTS、半導體材料商Smartkem
英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度
TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06)
德州儀器(TI)推出兩款新型功率轉換器產品組合,協助工程師在更小的空間內實現更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵(GaN)功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術,可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度
ROHM EcoGaN產品被台達電子45W輸出AC適配器採用 (2024.02.27)
半導體製造商ROHM推出的650V GaN元件(EcoGaN),被台灣台達電子(Delta Electronics)的45W輸出AC適配器「Innergie C4 Duo」 採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件,在提高產品性能和可靠性的同時,更實現了小型化
保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展,從而實現更高的效能和更小的尺寸,並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。
經濟部補助A+企業創新研發淬鍊 聚焦數位減碳及AI應用 (2024.02.15)
因應現今數位減碳及人工智慧(AI)應用需求不斷增加,依經濟部日前召開2024年度A+企業創新研發淬鍊計畫第1次決審會議,共通過4項計畫。 其中由世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶
英飛凌GaN功率方案助歐姆龍實現輕小車聯網充電系統 (2024.02.05)
英飛凌科技與歐姆龍社會解決方案公司合作。結合英飛凌氮化鎵(GaN)功率解決方案與歐姆龍的電路拓樸和控制技術,賦能歐姆龍社會解決方案公司實現了一款車聯網(V2X)充電系統,這是尺寸小,同時重量輕巧的系統之一
英飛凌與安克成立創新應用中心 合作開發PD快充與節能方案 (2024.01.26)
隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加,消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。英飛凌科技(infineon)近日宣佈與安克創新(Anker Innovations)在深圳聯合成立創新應用中心
Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET,各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻,並配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能,因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求
台灣研究團隊開發雙模二維電子元件 突破矽晶圓物理限制 (2024.01.15)
在國科會「A世代前瞻半導體專案計畫」支持下,清華大學電子所蔡孟宇博士、研發長邱博文教授、中興大學物理系林彥甫教授和資工系吳俊霖教授等共同組成的研究團隊,成功開發出新穎的雙模式二維電子元件,不僅突破了傳統矽晶圓的物理限制,還為高效能計算和半導體製程簡化開啟了新的方向
ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2024.01.02)
隨著全球能源需求於2030年預計將增長30%,同時碳排放量目標擴大至減少45%(控制全球暖化在攝氏1.5℃以內),再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前,人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭,但現在人們轉變思維,更注重人類在地球上的永續生存方式
Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件 (2023.12.28)
Transphorm與Weltrend Semiconductor(偉詮電子)合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A,在准諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率
雷射輔助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎,且有如工研院等法人單位輔導,正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工製程等測試驗證平台和服務,將加速產業聚落成型
拋離傳統驅動概念 加速下一代EV車的開發 (2023.12.26)
電動車越來越多地採用E軸三合一裝置,將馬達、逆變器和齒輪整合在一起,以實現車輛更小、更輕、成本更低,同時提高車輛性能。因此愈來愈多的汽車業者,開發出了基於X-in-1單元的多功能平台,並大量的應用於多款車型
Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓(CC/CV)電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件,以成本實現高效的AC-DC 功率轉換和高功率密度
ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2023.12.18)
再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前,人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭,但現在人們轉變思維,更注重人類在地球上的永續生存方式。
鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁(AlN)/氮化鎵(GaN)金屬—絕緣體—半導體(MIS)高電子遷移率電晶體(HEMT),該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率
突破相機性能極限 imec展示全新次微米像素彩色成像技術 (2023.12.12)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)展示了一套能在次微米(sib-micron)等級的解析度下忠實分割色彩的全新技術,採用的是在12吋晶圓上製造的傳統後段製程
英特爾下世代電晶體微縮技術突破 鎖定應用於未來製程節點 (2023.12.12)
英特爾公開多項技術突破,為公司未來的製程藍圖保留了創新發展,凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM)上,英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)電晶體的最新進展


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