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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11)
英飛凌科技（Infineon）推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列，具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器，能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度，適用於提高固態繼電器（SSR）應用的性能和可靠性 |
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英飛凌推出靜態開關用的全新工業級和車規級高壓超接面MOSFET (2023.07.31)
在靜態開關應用中，電源設計著重於得以降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計；英飛凌科技（Infineon）正擴大其CoolMOS S7 系列高壓超接面（SJ）MOSFET 的產品陣容因應所需 |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10)
無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性 |
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英飛凌推出單級返馳式控制器 可電池充電應用實現擴展設計 (2022.12.09)
採用電池供電的電器是業界增長最快的市場區塊之一，此類應用需要節能、穩健和高性價比的電池充電方案。為了滿足這一需求，英飛凌推出了適用於返馳式拓撲結構的ICC80QSG單級PWM控制器，進一步擴展了英飛凌旗下AC-DC控制器IC的產品陣容 |
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英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本 |
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英飛凌推出全新800V和950V AC-DC整合式功率級產品組合 (2022.09.26)
在提高高壓電源的性能、效率和可靠性的同時，也需要減少元件的數量和材料清單（BOM）成本，並降低所需的設計工作量。為了滿足這些需求，英飛凌科技股份有限公司推出第五代定頻（FF）CoolSET產品組合，旨在提供合適的關鍵元件，以優化設計 |
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ST發表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能 (2022.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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意法半導體新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET 大幅降低開關功率損耗 (2021.10.28)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列強化了幾個關鍵參數，以降低系統的功率損失。特別適合返馳式拓撲為基礎的照明應用，例如LED驅動器、HID燈，或是適用於電源適配器和平板顯示器的電源 |
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三星首款MOSFET冰箱變頻器 採用英飛凌600V功率產品 (2021.05.27)
英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱 |
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英飛凌EiceDRIVER Compact新系列 快速整合高切換頻率設計 (2020.12.24)
英飛凌科技針對旗下EiceDRIVER 1ED Compact隔離閘極驅動器系列，推出新一代產品X3 Compact (1ED31xx)系列。此閘極驅動器採用DSO-8 300 mil封裝，提供單獨的輸出選項，並具備主動關斷和短路箝制功能 |
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高能效儲能系統中多階拓撲之優勢 (2020.12.02)
開關元件的功耗降低可減少散熱，較低的諧波內容僅需較少的濾波且 EMI 明顯降低。 |
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英飛凌推出650V CoolMOS CFD7A系列 打造汽車應用的超接面MOSFET效能 (2020.05.08)
為滿足電動車市場需求，英飛凌科技推出全新CoolMOS CFD7A產品系列。這些矽基高性能產品適用於車載充電器系統的PFC和DC-DC級，以及專為電動汽車應用優化的高低壓DC-DC轉換器 |
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英飛凌推出低頻應用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET (2020.03.03)
英飛凌科技股份有限公司成功開發出滿足最高效率和品質要求的解決方案，針對MOSFET低頻應用推出600V CoolMOS S7系列產品，帶來優異的功率密度和能源效率。
CoolMOS S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改善以及高脈衝電流能力，並且具備最高品質標準 |
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列 進一步降低切換損耗 (2020.02.25)
英飛凌科技持續擴展其全方位的碳化矽(SiC)產品組合，新增650V產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求，包括：伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等 |
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英飛凌CoolSiC 肖特基二極體 1200 V G5 系列增添新封裝 (2019.06.19)
英飛凌科技擴充 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體系列，新增TO247-2 封裝產品，可取代矽二極體並提供更高的效率。擴大的 8.7 mm 沿面與空間距離可為高污染環境提供額外的安全性 |
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英飛凌擴大量產並加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合 (2019.05.17)
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ，並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列，即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列 |
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意法半導體推出快速恢復的超接面MOSFET (2019.02.14)
意法半導體推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具備一個快速恢復二極體，將最新超接面（Super-Junction）技術的性能優勢導入全橋和半橋拓樸、零電壓切換（Zero-Voltage Switching，ZVS）相移轉換器等的拓樸結構裡通常需要一個穩定可靠的二極體來處理動態dV/dt的應用 |
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意法半導體超接面MOSFET瞄準節能型功率轉換拓樸 (2019.01.16)
意法半導體（ST）新款MDmesh系列600V超接面晶體管是為提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓樸的效能而設計。針對軟開關技術優化的閘極開啟電壓使新型晶體管適用節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器 |
