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Ramtron推出+125℃ FRAM内存FM25C160 (2007.03.05)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International宣布推出首款 +125℃ FRAM内存 FM25C160。该款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM可满足Grade 1和AEC-Q100规范的要求,可在 -40℃到 +125℃ 的整个汽车温度范围内工作
Ramtron全新单芯片解决方案采用微型封装 (2006.11.03)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品供货商Ramtron International公司,宣布推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion产品FM3130,在微型封装中将非挥发性铁电RAM和整合式实时时钟/日历(RTC)两者的效益结合在一起
ST发表32兆位闪存 (2001.11.21)
ST日前发表一款在符合业界标准电压与温度条件下,速度最快的32兆位闪存。这颗高密度的M29W320D是采用ST领先业界的0.18微米闪存制程技术制造,适用于蜂巢式行动产品、个人数字助理、外围设备、游戏、以及其他先进数字通讯及消费性产品中
联电与联邦半导体合作跨足MRAM领域 (2001.05.09)
联电为增加进入单芯片系统组(SOC)领域胜算,近期规划与联邦半导体结盟,共同跨足磁阻式随机存取内存(MRAM)研发生产,以取得未来SOC核心内存领先地位,超越IBM、摩托罗拉等领先厂商


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