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Ramtron推出+125℃ FRAM記憶體FM25C160 (2007.03.05)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International宣佈推出首款 +125℃ FRAM記憶體 FM25C160。該款5V 16Kb 的串列SPI介面 FRAM可滿足Grade 1和AEC-Q100規範的要求，可在 -40℃到 +125℃ 的整個汽車溫度範圍內工作
Ramtron全新單晶片解決方案採用微型封裝 (2006.11.03)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品供應商Ramtron International公司，宣佈推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion產品FM3130，在微型封裝中將非揮發性鐵電RAM和整合式即時時鐘/日曆(RTC)兩者的效益結合在一起
ST發表32百萬位元快閃記憶體 (2001.11.21)
ST日前發表一款在符合業界標準電壓與溫度條件下，速度最快的32百萬位元快閃記憶體。這顆高密度的M29W320D是採用ST領先業界的0.18微米快閃記憶體製程技術製造，適用於蜂巢式行動產品、個人數位助理、週邊設備、遊戲、以及其他先進數位通訊及消費性產品中
聯電與聯邦半導體合作跨足MRAM領域 (2001.05.09)
聯電為增加進入單晶片系統組(SOC)領域勝算，近期規劃與聯邦半導體結盟，共同跨足磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)研發生產，以取得未來SOC核心記憶體領先地位，超越IBM、摩托羅拉等領先廠商


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