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BiCMOS制程提供放大器更高精确度 (2006.05.16)
美国国家半导体（NS）为供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器开发了VIP50制程技术，VIP是垂直整合PNP制程技术的简称。VIP50制程技术是一种采用绝缘硅（SOI）的BiCMOS制程，其中采用的薄膜电阻不仅可以微调 |
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BiCMOS制程提供放大器更高精确度 (2006.05.02)
美国国家半导体（NS）为供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器开发了VIP50制程技术，VIP是垂直整合PNP制程技术的简称。VIP50制程技术是一种采用绝缘硅（SOI）的BiCMOS制程，其中采用的薄膜电阻不仅可以微调 |
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以BiCMOS制程技术提升放大器效能 (2005.10.27)
NS以绝缘硅（SOI）BiCMOS 模拟制程技术提高新一代高精密度、低功率及低电压运算放大器的效能，这种名为VIP50的制程技术是专门针对供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器所设计，其优点可运用于可携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统上 |
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以BiCMOS制程技术提升放大器效能 (2005.10.06)
NS以绝缘硅（SOI）BiCMOS 模拟制程技术提高新一代高精密度、低功率及低电压运算放大器的效能，这种名为VIP50的制程技术是专门针对供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器所设计，其优点可运用于可携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统上 |
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以CMOS制程技术提升放大器效能 (2005.10.01)
NS以绝缘矽（SOI）BiCMOS 类比制程技术提高新一代高精密度、低功率及低电压运算放大器的效能，这种名为VIP50的制程技术是专门针对供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器所设计，其优点可运用于可携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统上 |
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美国国家半导体推出一款采用SC70-5封装的比较器 (1999.12.08)
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出一款低功率的高速比较器。这款型号为LMV7219的比较器专以需要支持高速数字讯号调节功能的应用方案为对象，其对称讯号传播延迟(Tpd)只有7毫微秒，而且耗电量亦只有1.1mA |
