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瑞薩新款通用32位元RISC-V MCU採用自研CPU核心 (2024.03.26)
最近許多微控制器供應商都加入RISC-V聯盟以促進產品的開發,瑞薩電子(Renesas Electronics)推出首款基於自研核心的RISC-V通用微控制器(MCU)。瑞薩已獨立設計並測試新的RISC-V核心,現已完成商業化產品並在全球推廣
保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展,從而實現更高的效能和更小的尺寸,並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。
Littelfuse新款光隔離光伏驅動器為隔離開關應用提供浮動電源 (2023.12.04)
Littelfuse公司推出新款光隔離光伏驅動器FDA117可產生浮動電源,適用於各行各業隔離開關應用。FDA117專為使用浮動電壓源控制分立式標準功率MOSFET和IGBT裝置設計,可確保低壓驅動輸入側和高壓負載輸出側之間的隔離
意法半導體持續專注永續發展 加速實現碳中和目標承諾 (2023.11.22)
在過去的幾年裡,我們已經瞭解許多關於ST碳足跡的進展。這一次,CTIMES再與 意法半導體副總裁暨永續發展負責人Jean-Louis Champseix訪談,並將聚焦更多關於減碳議題,也就是意法半導體為社會帶來的積極影響
意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性,意法半導體(STMicroelectronics)推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V,最高作業溫度高達175°C,具有更高的額定值
筑波聯手泰瑞達舉辦化合物半導體應用交流會 (2023.11.14)
化合物半導體高功率、高頻且低耗電等特色,已成為未來推動5G、電動車等產業研發產品的關鍵材料。筑波科技聯手美商泰瑞達Teradyne近期策劃舉辦2023年度壓軸化合物半導體應用交流會,探討化合物半導體最新市場趨勢、測試方案及材料特性等議題
「科技始之於你」首屆ST Taiwan Tech Day聚焦四大趨勢 展示創新成果 (2023.10.31)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)將於11月2日在台北文創舉辦首屆ST Taiwan Tech Day。該活動旨在為客戶和合作夥伴提供創新和成功所需之產品和解決方案的相關資訊。 本次活動以「科技始之於你」為主題,針對四大趨勢:智慧出行、電源與能源、物聯網與連接,以及感知世界等方向規劃多場演講,同步展示多達40個精心策劃的解決方案
增SiC和IGBT!ROHM官網可提供超過3,500種LTspice模型 (2023.10.27)
近年來,在電路設計中使用電路模擬的機會越來越多,可運用的工具種類也琳瑯滿目。其中LTspice為具有代表性的電路模擬工具之一,電路模擬工具已成功嵌入功率元件,大幅提高設計便利性,其用戶包括學生到專業工程師等廣大族群
羅姆集團馬來西亞工廠新廠房竣工 強化類比IC產能 (2023.10.25)
半導體製造商ROHM為了加強類比IC的產能,在其馬來西亞製造子公司ROHM-Wako Electronics(Malaysia)Sdn. Bhd.(以下稱 RWEM)投建了新廠房,已經於近日竣工並舉行了竣工儀式。 RWEM之前主要生產二極體和LED等小訊號產品,新廠房建成後則計畫生產絕緣閘極驅動器(類比IC的重點產品之一)
羅姆馬來西亞工廠新廠房竣工 強化類比IC產能 (2023.10.18)
半導體製造商羅姆集團(ROHM)為了加強類比IC產能,在其馬來西亞製造子公司ROHM-Wako Electronics(Malaysia)Sdn. Bhd.(簡稱RWEM)投建新廠房,近日已經竣工並舉行竣工儀式。 RWEM之前主要生產二極體和LED等小訊號產品,新廠房建成後則計畫生產絕緣閘極驅動器(類比IC的重點產品之一)
SiC Traction模組的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽車功率模組的開發過程中,由歐洲電力電子中心主導的測試標準—AQG324非常重要,只有完成根據它的測試規範設計的測試計畫,才能得到廣大的車廠認可,而汽車級SiC功率模組也必須通過AQG324的測試規範
三菱電機獲變頻站訂單 強化互聯互通穩定不同頻率的電網 (2023.10.02)
三菱電機(Mitsubishi Electric)已獲得J-Power Transmission Network公司的合同,為該項目提供300MW電壓源換流器(VSC)高壓直流(HVDC)輸電設備靜岡縣濱松市的新佐久間變頻站。該系統預計將於2028年3月底投入使用
四大技術爭奪EV充電樁主流標準 (2023.09.23)
各國正重點推廣電動車,車廠也紛紛公佈了應對的策略。隨著電動車的普及,意味著汽車的動力來源已從補充汽油的形式,傳換補充電力的形式,這也使得充電站的普及變得非常重要
英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合 推出全新電流額定值模組 (2023.09.18)
英飛凌科技推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800A ,擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候,不僅提供最大的靈活性,還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能
Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)(PTC)電動汽車 (EV)加熱器。 新推出的AMBQ40T120RFRTH(1200V)和AMBQ40T65PHRTH(650V)基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術,可提供10μs的最短短路耐受時間
筑波與泰瑞達攜手ETS 打造化合物半導體動態測試方案 (2023.09.01)
筑波科技(ACE Solution)與美商泰瑞達(Teradyne)攜手合作推出ETS GaN Mos、Power Module、IGBT測試整合方案。半導體功能測試(FT)向來需要克服各種挑戰,包括複雜的案例設計、執行和系統維護、數據分析管理,以及對測試環境穩定性的高度要求
東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽(SiC)MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流(DC)額定值為250A,並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用,如光伏發電系統、儲能系統等
意法半導體新款隔離式降壓轉換器晶片靈活可變 (2023.06.06)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出新款10W隔離降壓轉換器晶片L6983i,具備高效能、小包裝,以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。 L6983i採用隔離降壓拓撲結構,需要的外部元件相較傳統隔離式返馳式轉換器少,並且不需要光耦合器,進一步節省物料清單成本和PCB面積,適合於需要隔離式DC-DC轉換器應用
USB一孔定江山(2023.6第379期) (2023.05.31)
USB的功能在這幾年裡迅速膨脹, 越來越快的傳輸速度, 越來越高的傳輸電量, 漸漸的, USB也成了一個三頭六臂的技術, 並牽動相關的晶片與電路設計的更迭
投身車電領域的入門課:IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升,正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心,IGBT和SiC模組極具市場潛力。


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