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國研院攜手台積電 成功開發磁性記憶體技術 (2024.02.20)
國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，並獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊 |
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工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機 (2024.01.17)
面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點 |
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國科會114年度科技預算增至1800億元 拓展AI晶片與資安實力 (2024.01.17)
國家科學及技術委員會(國科會)於今(17)日召開第9次委員會議，並提報「114年度政府科技發展重點規劃」，將重點投入晶創臺灣方案、淨零科技及太空科技等，並強化培育頂尖優秀科研人才 |
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NXP看好智慧家庭、電動車與智慧工廠 主攻邊緣運算方案 (2023.12.13)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）日前在台北舉行2023恩智浦創新技術論壇，共吸引了超過900位的產業人士與會。NXP全球銷售執行副總裁Ron Martino也親自來台發表主題演講，並與媒體分享NXP對半導體產業趨勢的觀察，以及相關的解決方案布局 |
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臺美半導體晶片合作計畫審查結果揭曉 共6件研究獲補助 (2023.07.02)
國科會(NSTC)與美國國家科學基金會(NSF)於去(111)年9月同步徵求2023-2026年臺灣-美國(NSTC-NSF)先進半導體晶片設計及製作國際合作研究計畫(Advanced Chip Engineering Design and Fabrication, ACED Fab Program) |
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工研院與陽明交大、清大發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻技術 (2023.06.15)
工研院分別攜手國立陽明交通大學與國立清華大學，在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE國際微波會議（IEEE／MTT-S International Microwave Symposium；IMS），發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻模型技術成果 |
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NXP攜手台積電 推出16奈米車用嵌入式MRAM (2023.05.16)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）今（16）日宣布與台灣積體電路製造股份有限公司（TSMC）合作，推出業界首款採用16奈米（nm）鰭式場效電晶體（FinFET）技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體（Magnetic Random Access Memory；MRAM） |
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B5G－全面智慧互聯(2023.5第378) (2023.05.02)
B5G是指5G之後的下一代通信技術，
B5G具備更高的智能化水平，支持智能路由和自我優化等技術，
實現更高效、更可靠和更穩定的網路。
B5G的發展將為未來的智慧化、互聯化、數位化應用，
提供更快速、更廣泛、更可靠、更安全的通信支持 |
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創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰 |
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【vMaker Edge AI專欄 #03 】AI晶片發展歷史及最新趨勢 (2023.03.29)
想要玩邊緣智慧（Edge AI）前，我們首先要先認識什麼是類神經網路（NN）、深度學習（DL）及為什麼需要使用AI晶片，而AI晶片又有那些常見分類及未來可能發展方向。接下來就逐一為大家介紹不同類型的AI晶片用途及優缺點 |
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聯電持續深化智財權管理 獲TIPS AA級認證 (2022.12.30)
聯華電子今（30）日宣布，繼2021年首次導入「台灣智慧財產管理制度」（Taiwan Intellectual Property Management System；TIPS），並獲得A級認證以後，2022年以相關管理措施再獲TIPS AA級認證肯定 |
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經濟部發表新研發成果 領先三星推出最快磁性記憶體 (2022.09.14)
經濟部技術處SEMICON Taiwan科技專案成果主題館於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展覽館一館四樓N0662攤位正式登場！共展出33項創新技術！首先最吸睛的技術，是由工研院攜手多家台灣大廠，完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片，達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫的高耐受度，效能領先南韓大廠20% |
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聯電攜手Avalanche 推出航太用高密度P-SRAM裝置 (2022.09.13)
半導體晶圓廠商聯華電子與專精於MRAM技術的創新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
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工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據 |
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工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽明交通大學，研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術 |
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2022 ISSCC台灣15篇論文獲選 聯發科、台積電與旺宏皆上榜 (2021.11.16)
國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference；ISSCC)一向被視為是全球先進半導體與固態電路領域研發趨勢的指標，有晶片(IC)設計領域奧林匹克大會之稱，此研討會將於2022年2月20日至24日於美國舊金山舉行，台灣共有15篇論文入選 |
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為台灣嵌入式記憶體技術奠基 國研院發表SOT-MRAM研發平台 (2021.11.09)
國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的處理器晶片 |
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可在量產中實現良率管理的STT-MRAM磁性測試 (2021.06.02)
由於STT-MRAM（自旋轉移距－磁性隨機存取記憶體）具有快速、非揮發性、耐用，低功耗和可擴展的優點，是目前正迅速獲得關注的新記憶體技術之一。它是替代eFlash的強大候選者，尤其是對汽車、物聯網和其他低功耗應用特別有吸引力 |
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2021 VLSI聚焦記憶體內運算與AI晶片 台灣供應鏈優勢再現 (2021.04.20)
國際超大型積體電路技術研討會（VLSI）是台灣半導體產業的年度盛事，今（20）日在經濟部技術處的支持下2021 VLSI順利登場，今年焦點落在目前市場最熱門的AI晶片、新興記憶體、小晶片（chiplet）系統、量子電腦、半導體材料、生物醫學電子等最新技術進展 |
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鑑往知來 洞察不同應用領域的DRAM架構（上） (2020.08.13)
本文上篇將回顧不同DRAM架構的特色，並點出這些架構的共同趨勢與瓶頸，下篇則會提出愛美科為了將DRAM性能推至極限而採取的相關發展途徑。 |
