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三星14nm製程技術 Tape Out完成 (2012.12.23)
即使三星電子最近被採用Exynos系列處理器之行動裝置產品疑似存在著安全漏洞問題搞的烏煙瘴氣，但在邁向14奈米製程技術之路一樣沒有任何懈怠。繼格羅方德半導體以及英特爾後，三星也向外界宣布採用14奈米製程技術之行動晶片測試成功，該行動晶片不管是針對動態功耗以及漏電率方面皆有明顯改善
後摩爾定律時代 (2009.09.27)
知名物理學大師費曼早在多年前就預測：「其實下面還有許多空間」，英特爾科學家摩爾也據此提出晶圓效能與密度每18個月就會擴增一倍的「摩爾定律」。雖然多年來半導體工業隨著摩爾定律而蓬勃發展
聯電採用浸潤式微影技術產出45奈米測試晶片 (2006.11.26)
聯華電子（UMC）宣佈成功產出位元較0.25平方微米更小的45奈米SRAM晶片，該晶片採用聯電獨立發展的邏輯製程，在12層重要層中使用複雜的浸潤式微影術，並且結合最新的尖端技術如超淺接點技術、遷移率提升技術以及超低介電值技術（k=2.5）
TI、MIT與DARPA合作開發奈米SRAM晶片 (2006.02.09)
德州儀器宣佈，美國麻省理工學院的研究人員將在國際固態電路會議上展出利用TI先進65奈米CMOS製程生產的超低耗電256kb SRAM測試晶片。這顆SRAM晶片是專為需要高效能和低耗電的電池操作型產品所設計，不但操作電壓低於業界所有其它產品，TI還考慮將它應用在SmartReflex電源管理技術以延長行動產品的電池壽命


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