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imec獲High-NA EUV系統 推動業界步入埃米世代 (2026.03.19)
比利時微電子研究中心（imec）近日宣布所採購的ASML最新EXE:5200高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影系統已順利到廠，將進一步確立其在埃米時代扮演產業發展基地的關鍵地位，並提供其全球夥伴生態系統提前取得新一代晶片微縮技術的空前機會 |
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imec獲High-NA EUV系統 推動業界步入埃米世代 (2026.03.19)
比利時微電子研究中心（imec）近日宣布所採購的ASML最新EXE:5200高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影系統已順利到廠，將進一步確立其在埃米時代扮演產業發展基地的關鍵地位，並提供其全球夥伴生態系統提前取得新一代晶片微縮技術的空前機會 |
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imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有助於盡量減少所需的曝光阻劑，進而推動晶圓產量增加 |
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imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有助於盡量減少所需的曝光阻劑，進而推動晶圓產量增加 |
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3nm TCAM技術量產 與次世代AI晶片提升能源效率 (2026.02.23)
為了應對AI數據中心日益增長的電力需求，半導體產業在2026年初有了新的架構突破。瑞薩電子（Renesas Electronics）於近期發表了領先業界的3nm TCAM（內容定址記憶體）技術，這項技術能在極低功耗下實現高密度的數據檢索，對於自動駕駛SoC與邊緣運算設備的性能提升具有關鍵影響 |
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3nm TCAM技術量產 與次世代AI晶片提升能源效率 (2026.02.23)
為了應對AI數據中心日益增長的電力需求，半導體產業在2026年初有了新的架構突破。瑞薩電子（Renesas Electronics）於近期發表了領先業界的3nm TCAM（內容定址記憶體）技術，這項技術能在極低功耗下實現高密度的數據檢索，對於自動駕駛SoC與邊緣運算設備的性能提升具有關鍵影響 |
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歐盟啟動NanoIC晶片試產線 推進先進製程與AI競爭力 (2026.02.13)
在全球半導體競爭日益激烈的局勢下，歐盟正式啟動 NanoIC 晶片試產線（NanoIC pilot line），意圖強化本土先進半導體研發與製造能力，並縮小與亞洲、美國先進晶片製造的技術差距 |
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歐盟啟動NanoIC晶片試產線 推進先進製程與AI競爭力 (2026.02.13)
在全球半導體競爭日益激烈的局勢下，歐盟正式啟動 NanoIC 晶片試產線（NanoIC pilot line），意圖強化本土先進半導體研發與製造能力，並縮小與亞洲、美國先進晶片製造的技術差距 |
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imec採用EUV微影技術 展示固態奈米孔首次晶圓級製造 (2026.02.03)
於今年IEEE國際電子會議（IEDM），imec展示運用極紫外光（EUV）微影技術首次成功完成的固態奈米孔晶圓級製造。固態奈米孔作為分子感測應用的有力工具，正在逐漸興起，但還未進行商業化 |
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imec採用EUV微影技術 展示固態奈米孔首次晶圓級製造 (2026.02.03)
於今年IEEE國際電子會議（IEDM），imec展示運用極紫外光（EUV）微影技術首次成功完成的固態奈米孔晶圓級製造。固態奈米孔作為分子感測應用的有力工具，正在逐漸興起，但還未進行商業化 |
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imec推出NanoIC製程設計套件 加速研發邏輯和記憶體微縮技術 (2026.02.03)
迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求，由比利時微電子研究中心（imec）協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片（NanoIC）試驗製程，持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新 |
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imec推出NanoIC製程設計套件 加速研發邏輯和記憶體微縮技術 (2026.02.03)
迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求，由比利時微電子研究中心（imec）協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片（NanoIC）試驗製程，持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新 |
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日本加碼5,000億日圓補貼Rapidus 力拚2027實現2奈米本土量產 (2026.01.02)
日本政府為重振半導體強權地位，宣布將追加 5,000 億日圓（約新台幣 1,100 億元）的巨額補貼，挹注給被譽為國家隊的半導體企業 Rapidus。這項動作不僅展現了日本政府不計代價重返尖端製造的決心，更標誌著全球 2 奈米製程競賽正式進入台、美、韓、日四強鼎立的新戰局 |
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日本加碼5,000億日圓補貼Rapidus 力拚2027實現2奈米本土量產 (2026.01.02)
日本政府為重振半導體強權地位，宣布將追加 5,000 億日圓（約新台幣 1,100 億元）的巨額補貼，挹注給被譽為國家隊的半導體企業 Rapidus。這項動作不僅展現了日本政府不計代價重返尖端製造的決心，更標誌著全球 2 奈米製程競賽正式進入台、美、韓、日四強鼎立的新戰局 |
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imec成功在12吋CMOS晶圓超穎表面 整合膠體量子點光電二極體 (2025.12.11)
於IEEE國際電子會議（IEDM）上，imec成功展示在其12吋CMOS試驗製程開發之超穎表面（metasurface）上整合膠體量子點光電二極體（QDPD）。這套先驅方法能夠實現用於緊湊型微型化短波紅外線（SWIR）光譜感測器開發的可調式平台，建立一套用於經濟高效的高解析度頻譜成像解決方案之全新標準 |
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imec成功在12吋CMOS晶圓超穎表面 整合膠體量子點光電二極體 (2025.12.11)
於IEEE國際電子會議（IEDM）上，imec成功展示在其12吋CMOS試驗製程開發之超穎表面（metasurface）上整合膠體量子點光電二極體（QDPD）。這套先驅方法能夠實現用於緊湊型微型化短波紅外線（SWIR）光譜感測器開發的可調式平台，建立一套用於經濟高效的高解析度頻譜成像解決方案之全新標準 |
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imec推動2D材料元件技術超越現有頂尖方案 促進未來邏輯技術發展 (2025.12.10)
於本周2025年國際電機電子工程師學會（IEEE）上，imec展示了包含單層二硒化鎢（WSe2）通道的p型場效電晶體（pFET）所具備的顯著性能升級，以及用於源極／汲極接點成形和閘極堆疊整合且與晶圓廠相容的改良版模組 |
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imec推動2D材料元件技術超越現有頂尖方案 促進未來邏輯技術發展 (2025.12.10)
於本周2025年國際電機電子工程師學會（IEEE）上，imec展示了包含單層二硒化鎢（WSe2）通道的p型場效電晶體（pFET）所具備的顯著性能升級，以及用於源極／汲極接點成形和閘極堆疊整合且與晶圓廠相容的改良版模組 |
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聯電取得imec iSiPP300矽光子技術授權 布局下世代高速通訊 (2025.12.10)
聯華電子與imec簽署技術授權協議，取得imec iSiPP300矽光子製程，該製程具備共封裝光學(CPO)相容性，將加速聯電矽光子技術發展藍圖。藉由此次授權合作，聯電將推出12吋矽光子平台，以瞄準下世代高速連接應用市場 |
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聯電取得imec iSiPP300矽光子技術授權 布局下世代高速通訊 (2025.12.10)
聯華電子與imec簽署技術授權協議，取得imec iSiPP300矽光子製程，該製程具備共封裝光學(CPO)相容性，將加速聯電矽光子技術發展藍圖。藉由此次授權合作，聯電將推出12吋矽光子平台，以瞄準下世代高速連接應用市場 |
