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MIC:2020年5G產業機會 三大應用與四大商機 (2019.09.19)
5G商用持續加速,2019年全球已有32個國家約56家電信商宣佈部署5G網路,其中39家電信商已正式開通5G服務,預估2020年全球將有170家電信商提供5G商用服務,除了5G網路佈建帶來龐大的基礎設備商機,新興應用與關聯終端產品市場動能也蓄勢待發,而為了滿足5G高頻、高速特性,新材料與零組件相關需求也受到矚目
ST提供先進SiC功率電子元件 協助雷諾/日產/三菱聯盟研發下一代電動汽車快充技術 (2019.09.16)
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)被雷諾-日產-三菱聯盟指定為高效能碳化矽(SiC)技術合作夥伴,為即將推出之新一代電動汽車的先進車載充電器(On-Board Charger,OBC)提供功率電子元件
Cree與德爾福科技開展汽車SiC元件合作 (2019.09.15)
科銳(Cree)與德爾福科技(Delphi Technologies)宣佈開展汽車碳化矽(SiC)元件合作。雙方的此次合作將通過採用碳化矽(SiC)半導體技術,為未來電動汽車(EV)提供更快、更小、更輕、更強勁的電子系統
工業機器人提升感測效能與價值 有賴與半導體業者深度整合 (2019.08.13)
當2011年工業4.0概念問世以來,讓台灣製造業者深感憂慮的,不外乎設備將因此成本大增,以及市場上仍缺乏工規等級感測器,而積極尋求與台灣半導體產業結盟,直到近年來始吸引國際大廠關注
英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出新封裝 (2019.08.07)
相較於傳統 3 階中點箝位拓撲,進階中點箝位 (ANPC) 變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 與 IGBT 功率模組新增採用 ANPC 拓撲的 EasyPACK 2B封裝
意法半導體Q2營收增加4.7% Q3預測淨營收成長約15.3% (2019.07.29)
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)第二季淨營收達21.7億美元,毛利率為38.2%,而營業利潤率達9.0%,淨利潤則達1.6億美元,稀釋每股盈餘為0.18美元。 「第二季營收恢復季成長,符合預期
台灣寬能隙技術專家 瀚薪科技聚焦SiC與GaN元件開發 (2019.07.15)
從工研院分拆出來的瀚薪科技設立於台灣新竹,是聚焦寬能隙(wide band-gap)材料基礎的高功率半導體設計公司。
意法半導體擬收購碳化矽晶圓製造商Norstel AB的多數股權 (2019.07.12)
意法半導體(STMicroelectronics)宣布簽署一份協議,即擬收購瑞典碳化矽(SiC)晶圓製造商Norstel AB(Norstel)之多數股權。在此項收購交易完成後,意法半導體將在全球產能受限的情況下掌控部分SiC元件的整個供應鏈,為把握一個重大的成長機會做好準備
意法半導體公布2019年永續發展報告 規劃2025長期目標 (2019.06.10)
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)公布2019年永續發展報告。這是意法半導體的第22個年度永續發展報告,其回顧了意法半導體在2018年永續發展所取得的成效,並根據聯合國的全球盟約十項原則和永續發展目標,提出未來規劃和至2025年的長期目標
ST:開發豐富類比功能之微控制器勢不可擋 (2019.06.04)
新一代智慧電子元件增加了越來越多的感測器驅動功能,並開始採用碳化矽、氮化鎵等效能更高的功率技術來節省電力,這使得在微控制器市場上具備領先優勢的意法半導體(ST),也順應趨勢推出了最新一代的微控制器系列STM32G4家族
英飛凌 CoolGaN e-mode HEMT 獲 Computex Best Choice Award 類別獎 (2019.05.21)
英飛凌科技今日宣布,旗下氮化鎵功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢,榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時,英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件,涵蓋矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的全方位供應商
英飛凌擴大量產並加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合 (2019.05.17)
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ,並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列,即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列
Microchip宣佈推出全新碳化矽(SiC)產品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透過其子公司Microsemi(美高森美)宣佈推出一系列SiC功率元件。該系列元件具有良好的耐用性,以及寬能隙(wide-bandgap)半導體技術優勢。它們將與Microchip各類微控制器和類比解決方案形成產品的互補優勢,加入Microchip不斷壯大的SiC產品組合,滿足了電動汽車和其它大功率應用領域迅速發展的市場需求
是德科技宣布推出具雙脈衝測試功能的動態功率元件分析儀 (2019.05.14)
是德科技(Keysight Technologies Inc.)宣布推出搭載雙脈衝測試儀的新型動態功率元件分析儀(PD1500A),以提供可靠且可重複的寬能隙(WBG)半導體量測方式,並確保量測硬體與專業測試人員的安全
CREE投資10億美元 擴大SiC碳化矽產能 (2019.05.08)
Cree 宣佈,將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能,在公司美國總部北卡羅萊納州特勒姆市建造一座採用最先進技術的自動化200mm SiC碳化矽生產工廠和一座材料超級工廠。 該項目為該公司至今最大的投資,將為Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化鎵業務提供動能
您的電動汽車充電系統具有適當的安全性,有效性和可靠性? (2019.05.02)
本文概述了市場上不同類型的電動汽車充電站,展示了常見的結構以及如何將安全性,效率和可靠性整合到最佳設計中。
德州儀器推出極精準監測及保護設計 提升油電混合與電動車系統穩定性 (2019.05.02)
德州儀器(TI)近日發佈經過充分測試的電池管理及牽引逆變系統參考設計,以及具備先進監測與保護功能的最新類比電路,可降低二氧化碳排放,並延長油電混合車及電動車的行駛時間和距離
安森美半導體將於歐洲PCIM 2019推出新款IGBT產品 (2019.04.30)
安森美半導體(ON Semiconductor)將於5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基於碳化矽(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。 AFGHL50T65SQDC採用最新的場截止IGBT和SiC蕭特基二極體(Schottky Diode)技術
是德科技 PathWave 先進設計系統解決方案增添新的分析工具 (2019.03.27)
是德科技(Keysight Technologies Inc.)日前宣布旗下的 PathWave 先進設計系統(ADS)解決方案增添新生力軍 -- PEPro 軟體,可協助設計工程師清楚查看切換式電源供應器(SMPS)設計的效果,無須再耗時建構並測試原型
安森美半導體推出全新工業級和符合車規的SiC MOSFET (2019.03.19)
安森美半導體推出了兩款全新碳化矽(SiC)MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬能帶隙(WBG)技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不斷電系統(uninterruptable power supply;UPS)及伺服器電源


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