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聯電推出首款RFSOI 3D IC整合方案 加速5G時代創新 (2024.05.02)
聯華電子今(2)日推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案,此55奈米RFSOI製程平台上使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將晶片尺寸縮小45%以上,客戶能夠有效率地整合更多射頻元件,以滿足5G更大的頻寬需求
受惠HPC與AI需求 今年台灣積體電路業產值可望轉正 (2024.04.09)
基於近年來IT科技改變了人類的生活方式,影響著整個社會和文明的發展,而積體電路則在其中扮演著至關重要的角色。依經濟部最新統計,台灣積體電路業歷經2023年產值年減12.9%後,今年則受惠於高效能運算(HPC)與人工智慧(AI)需求,期望先由IC設計產業帶頭,引領晶圓代工、DRAM等產業轉正
2027年12吋晶圓廠設備支出將達1,370億美元新高 (2024.03.22)
SEMI國際半導體產業協會發布《12吋晶圓廠2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出,由於記憶體市場復甦以及對高效能運算和汽車應用的強勁需求,全球用於前端設施的12吋 晶圓廠設備支出預估在2025年首次突破1,000億美元,到2027年將達到1,370億美元的歷史新高
ST攜手Sphere Studios打造全球最大電影攝影機影像感測器 (2024.02.20)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)與Sphere娛樂有限公司宣布為Big Sky影像系統而開發之世界上最大影像感測器的相關資訊。Big Sky是一個突破性的超高解析度專業攝影系統,用於位在拉斯維加斯的下一代娛樂媒體Sphere擷取影像內容
應材及東北微電子聯手 為MIT.nano挹注200mm晶圓研製能力 (2024.02.05)
因應當前地緣政治衝突威脅,讓國際半導體產業不得不分散各地建廠佈局,卻未必都能在當地找到數量足夠且技術純熟的人才。必須從設備端開始,積極朝上游學研界吸引關鍵技術與人才,進而透過最先進機台組合銜接學術創新與產業路徑,擴大半導體、微電子和其他關鍵技術領域的規模
英飛凌與Wolfspeed擴展碳化矽6 吋晶圓供應協定 (2024.01.25)
隨著產業供應鏈對碳化矽產品的需求持續增加,英飛凌科技與Wolfspeed 公司共同宣布擴大於 2018 年 2 月所簽署的長期 6 吋碳化 (SiC) 矽晶圓供應協定,並且延長期限。雙方擴展的合作範圍,包括一個多年期的產能預訂協定,進而穩定英飛凌整體供應鏈,以因應汽車、太陽能、電動車應用及儲能系統等領域對於碳化矽半導體需求成長
英飛凌與SK Siltron CSS簽訂新碳化矽晶圓供應協議 (2024.01.14)
英飛凌科技宣布,與碳化矽(SiC)供應商 SK Siltron CSS 簽訂協議。根據協議,SK Siltron CSS 將提供高品質的 6吋 SiC 晶圓,用以支援 SiC 半導體的生產。在後續階段,SK Siltron CSS 將在協助英飛凌過渡到 8 吋晶圓方面扮演重要角色
日本強震對半導體業影響可控 惟曝露供應鏈風險 (2024.01.03)
剛度過2024年跨年假期,日本石川縣便在元旦當天下午發生規模7.6強震,讓台日半導體業者在假期不平靜,包括矽晶圓、MLCC及多間半導體廠停工檢查。依半導體供應鏈業者初步了解
雷射輔助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎,且有如工研院等法人單位輔導,正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工製程等測試驗證平台和服務,將加速產業聚落成型
突破相機性能極限 imec展示全新次微米像素彩色成像技術 (2023.12.12)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)展示了一套能在次微米(sib-micron)等級的解析度下忠實分割色彩的全新技術,採用的是在12吋晶圓上製造的傳統後段製程
英特爾下世代電晶體微縮技術突破 鎖定應用於未來製程節點 (2023.12.12)
英特爾公開多項技術突破,為公司未來的製程藍圖保留了創新發展,凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM)上,英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)電晶體的最新進展
IDC公布2024全球半導體市場八大趨勢 將迎來新成長 (2023.12.07)
根據IDC(國際數據資訊)最新研究顯示,隨著全球人工智慧(AI)、高效能運算(HPC)需求爆發式提升,加上智慧型手機(Smartphone)、個人電腦(Notebook & PC)、伺服器(Server)、汽車(Automotive)等市場需求回穩,半導體產業預期將迎來新一輪成長浪潮
筑波聯手泰瑞達舉辦化合物半導體應用交流會 (2023.11.14)
化合物半導體高功率、高頻且低耗電等特色,已成為未來推動5G、電動車等產業研發產品的關鍵材料。筑波科技聯手美商泰瑞達Teradyne近期策劃舉辦2023年度壓軸化合物半導體應用交流會,探討化合物半導體最新市場趨勢、測試方案及材料特性等議題
德州儀器新12吋半導體晶圓廠動土 主攻類比與嵌入式處理器 (2023.11.06)
德州儀器(TI)位於猶他州 Lehi 的全新 12 吋半導體晶圓廠正式動土。TI 總裁兼執行長 Haviv Ilan 慶祝展開新晶圓廠 LFAB2 建設的第一階段,猶他州州長 Spencer Cox、州立與地方民選官員以及社區領導者亦連袂參與;LFAB2 將與TI 目前位於 Lehi 現有的 12 吋晶圓廠相連
施耐德電機提出數位化及電氣化策略 協助半導體業邁向永續未來 (2023.09.07)
即便現今半導體產業發展為台灣帶來龐大經濟效益,但在晶片生產製造過程中也排放出大量溫室氣體,約佔全台排放量的12%,如何在節能減排與經濟發展中取得平衡已成為一大考驗
德州儀器北德州新晶圓廠獲得LEED v4金級認證 (2023.09.04)
德州儀器(TI)宣布其位於德州 Richardson 的新12 吋半導體晶圓製造廠 RFAB2 獲得能源與環境設計領導認證(LEED)v4 金級認證。RFAB2 為符合永續設計、建造和營運的高效能綠建築,其通過美國綠色建築委員會(USGBC)的嚴格審核,並成為全美第一、全球第四獲得該項認證的半導體製造廠
英特爾晶圓代新模式為營運帶來根本性變化 價值釋放更顯著 (2023.06.26)
英特爾朝向新內部晶圓代工模式的轉變,將是2025年前節省80億至100億美元既定成本目標的關鍵。在這種新的營運模式下,英特爾內部產品部門與公司的製造部門轉向類似晶圓代工的關係
SEMI:2026年全球12吋晶圓廠設備支出將達歷史新高 (2023.06.15)
SEMI國際半導體產業協會公布最新《12吋晶圓廠至2026年展望報告》(300mm Fab Outlook Report to 2026)指出,預期在2023年下修後,全球用於12吋晶圓廠的設備支出將自明(24)年起展開連續成長
imec最新成果:合金薄膜電阻首度超越銅和釕 (2023.05.23)
於本周舉行的2023年IEEE國際內連技術會議(IITC)上,比利時微電子研究中心(imec)展示其實驗成果,首次證實導體薄膜的電阻在12吋矽晶圓上可超越目前業界使用的金屬導線材料銅(Cu)和釕(Ru)
ST:內部擴產與製造外包並進 全盤掌控半導體供應鏈 (2023.05.18)
技術研發和製造策略是ST達成營收目標的關鍵要素之一。透過不斷投資具有競爭力的專利技術,擴大內部產能,輔之以外包加工。這是ST在半導體策略上的致勝關鍵。


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