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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展,從而實現更高的效能和更小的尺寸,並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。
英飛凌2024年第一季度業績表現強勁 營收達37億歐元 (2024.02.17)
英飛凌 2024 會計年度第一季營收 37.02 億歐元,部門利潤達 8.31 億歐元,利潤率為 22.4%。2024會計年度第二季展望:基於1歐元兌換1.10 美元的假設匯率,預期營收約為 36 億歐元
經濟部補助A+企業創新研發淬鍊 聚焦數位減碳及AI應用 (2024.02.15)
因應現今數位減碳及人工智慧(AI)應用需求不斷增加,依經濟部日前召開2024年度A+企業創新研發淬鍊計畫第1次決審會議,共通過4項計畫。 其中由世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶
英飛凌GaN功率方案助歐姆龍實現輕小車聯網充電系統 (2024.02.05)
英飛凌科技與歐姆龍社會解決方案公司合作。結合英飛凌氮化鎵(GaN)功率解決方案與歐姆龍的電路拓樸和控制技術,賦能歐姆龍社會解決方案公司實現了一款車聯網(V2X)充電系統,這是尺寸小,同時重量輕巧的系統之一
英飛凌與安克成立創新應用中心 合作開發PD快充與節能方案 (2024.01.26)
隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加,消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。英飛凌科技(infineon)近日宣佈與安克創新(Anker Innovations)在深圳聯合成立創新應用中心
CML Micro購併毫米波晶片商MwT 擴大通訊市場布局 (2024.01.23)
CML Micro宣佈已購併位於美國加州的單晶微波積體電路(MMIC)和毫米波(mmWave)廠商MwT。此次購併將CML Micro和MwT各自優勢整合資源和團隊,擴張後公司定位在新興市場技術前沿,為無線通訊提供更廣泛、更深入RF 和mmWave產品組合
Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET,各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻,並配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能,因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求
意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽(SiC)長期供貨協議,而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET,支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略
ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2024.01.02)
隨著全球能源需求於2030年預計將增長30%,同時碳排放量目標擴大至減少45%(控制全球暖化在攝氏1.5℃以內),再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前,人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭,但現在人們轉變思維,更注重人類在地球上的永續生存方式
Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件 (2023.12.28)
Transphorm與Weltrend Semiconductor(偉詮電子)合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A,在准諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率
雷射輔助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎,且有如工研院等法人單位輔導,正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工製程等測試驗證平台和服務,將加速產業聚落成型
拋離傳統驅動概念 加速下一代EV車的開發 (2023.12.26)
電動車越來越多地採用E軸三合一裝置,將馬達、逆變器和齒輪整合在一起,以實現車輛更小、更輕、成本更低,同時提高車輛性能。因此愈來愈多的汽車業者,開發出了基於X-in-1單元的多功能平台,並大量的應用於多款車型
Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓(CC/CV)電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件,以成本實現高效的AC-DC 功率轉換和高功率密度
ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2023.12.18)
再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前,人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭,但現在人們轉變思維,更注重人類在地球上的永續生存方式。
鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁(AlN)/氮化鎵(GaN)金屬—絕緣體—半導體(MIS)高電子遷移率電晶體(HEMT),該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率
英特爾下世代電晶體微縮技術突破 鎖定應用於未來製程節點 (2023.12.12)
英特爾公開多項技術突破,為公司未來的製程藍圖保留了創新發展,凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM)上,英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)電晶體的最新進展
Transphorm與Allegro合作 提升大功率應用中氮化鎵電源系統性能 (2023.12.08)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作,使用Transphorm的SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器,針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計
TI:擴大低功率GaN產品組合 實現AC/DC電源供應器體積縮小50% (2023.12.04)
德州儀器(TI)擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合,旨在協助提升功率密度、最大化系統效率,以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合,可解決常見的散熱設計挑戰,讓供應器維持低溫,同時以更小的體積推動更大功率
Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐,為採用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件
蔚華與南方科技合作非破壞性SiC檢測系統 搶攻化合物半導體商機 (2023.11.28)
蔚華科技與旗下數位光學品牌南方科技合作,共同推出業界首創的JadeSiC-NK非破壞性缺陷檢測系統,採用先進非線性光學技術對SiC基板進行全片掃描,找出基板內部的致命性晶體缺陷,用以取代現行高成本的破壞性KOH(氫氧化鉀)蝕刻檢測方式,可提升產量並有助於改善製程


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