CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06) 英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議
CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15) Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件
CGD推出ICeGaN 650 V氮化鎵HEMT系列產品 (2023.05.12) Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果
CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10) 無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性
