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安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計 |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升，正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心，IGBT和SiC模組極具市場潛力。 |
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PI新型3300V IGBT模組閘極驅動器 可實現可預測性維護 (2023.05.09)
Power Integrations推出全新的單通道隨插即用閘極驅動器，該產品適用於高達 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模組。1SP0635V2A0D 結合了 Power Integrations 成熟的 SCALE-2 切換效能和保護功能，具有可配置的隔離串列輸出介面，增?了驅動器的可程式性，並提供了全面的遙測報告，以實現準確的使用壽命預估 |
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ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模組 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC（碳化矽）功率模組方面，已有十多年的良好合作關係。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中，採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」 |
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Power Integrations:以整合方案實現高功率、小體積GaN充電 (2022.01.28)
在全球電動車與綠能趨勢的帶動下，化合物半導體（第三代半導體）宛如找到了自己的春天，開始在各個產業應用中竄出頭來，成為目前最火紅的功率半導體解決方案。本文特別專訪了美國領先的功率元件供應商Power Integrations行銷副總裁Doug Bailey，分別針對氮化鎵（GaN）的技術與應用進行說明 |
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東芝新款碳化矽MOSFET雙模組適用於工業設備 (2022.01.27)
東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容 |
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中美矽晶佈局化合物半導體 成功開發各尺寸晶圓產品 (2021.12.22)
中美矽晶集團積極發展化合物半導體，如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰及鈮酸鋰等。在本屆的國際光電大展中，中美矽晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶圓及轉投資事業 |
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英飛凌推出24V雙通道低壓EiceDRIVER 具備啟用功能 (2021.02.03)
英飛凌科技宣布擴展其EiceDRIVER產品組合，推出新款具備整合式導熱片的24V雙通道低壓閘極驅動器，能以高切換頻率及最高峰值輸出電流運作，且具備啟用功能。此閘極驅動器適用於切換頻率較高的應用，例如功因校正、同步整流，也可用在並聯MOSFET應用採用的變壓器驅動器或緩衝驅動器，或是EasyPACK和EconoPACK等高電流IGBT模組 |
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英飛凌EiceDRIVER Compact新系列 快速整合高切換頻率設計 (2020.12.24)
英飛凌科技針對旗下EiceDRIVER 1ED Compact隔離閘極驅動器系列，推出新一代產品X3 Compact (1ED31xx)系列。此閘極驅動器採用DSO-8 300 mil封裝，提供單獨的輸出選項，並具備主動關斷和短路箝制功能 |
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高能效儲能系統中多階拓撲之優勢 (2020.12.02)
開關元件的功耗降低可減少散熱，較低的諧波內容僅需較少的濾波且 EMI 明顯降低。 |
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英飛凌推出62mm CoolSiC模組 開闢碳化矽全新應用 (2020.07.17)
英飛凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了250kW以上（此為矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應用的大門 |
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英飛凌推出硫化氫防護功能產品 助力延長IGBT模組壽命 (2020.07.09)
強固性及可靠性決定了模組在嚴峻應用環境中的使用壽命。尤其是暴露於硫化氫(H2S)的環境，對於電子元件的使用壽命更有嚴重的影響。為解決此項威脅，英飛凌科技開發了一項全新的防護功能，推出搭載TRENCHSTOP IGBT4晶片組的EconoPACK+模組，是Econo系列第一款為變頻器應用提供此防護等級的產品 |
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PI推出用於緊壓包裝IGBT模組的SCALE-2隨插即用閘極驅動器 (2020.03.04)
中高壓變頻器應用的閘極驅動器技術廠商Power Integrations(PI)今日推出1SP0351 SCALE-2 單通道+15/-10V隨插即用閘極驅動器，專為來自Toshiba、Westcode和ABB等製造商的全新4500V緊壓包裝IGBT(PPI)模組而開發 |
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ROHM推出1700V全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」 在高溫高濕環境下實現可靠性 (2018.12.05)
半導體製造商ROHM（總公司：日本國京都市）針對以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業裝置用電源逆變器(Inverter)和轉換器(Converter)，研發出實現可靠性的保證額定值1700V 250A的全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」 |
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報告:英飛凌持續在功率半導體市場居領導地位 (2018.09.06)
全球能源需求持續成長，推動因素包括工業、交通運輸及民用的電氣化，以及用電設備數量的增長，因此也提升了對於高效率功率半導體的需求。這些半導體用於發電、輸電及用電的所有環境，能夠有效率地管理設備、機器與系統 |
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工研院攜手強茂 前進電動車功率模組市場 (2018.06.28)
工研院與強茂公司今日簽署合作合約，工研院與強茂宣示攜手共同建立IGBT智慧功率模組試量產線，將生產工研院自行研發的IGBT智慧功率模組，該產品運作上可較傳統產品降低40%熱阻，同時降低晶片運作溫度達20°C，將以電動車市場為主要目標 |
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貿澤供貨STMicroelectronics ACEPACK IGBT模組 (2018.05.15)
貿澤電子即日起開始供應STMicroelectronics (ST)的ACEPACK IGBT模組。
Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模組屬於專門針對工業應用所設計的最新塑膠功率模組系列，為3 kW至30 kW的工業和電源管理解決方案提供經濟且高整合度的功率轉換 |
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英飛凌與上汽集團成立合資企業 布局中國電動車市場 (2018.03.05)
上海汽車集團股份有限公司和英飛凌科技股份有限公司宣佈成立合資企業，為中國活躍的電動汽車市場製造功率模組。合資公司命名為「上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司」，由上汽集團持股51%，英飛凌持股49% |
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英飛凌推出EconoDUAL 3 IGBT 模組 搭載整合式分流器 (2018.02.21)
英飛凌科技股份有限公司 將 EconoDUAL 3 模組整合度推升至更高境界：推出搭載整合分流器電阻的模組，可在交流路徑進行電流監控。透過該產品，變頻器製造商可降低成本、提升效能，並簡化變頻器的設計 |
