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Fairchild與Infineon達成創新型汽車MOSFET無鉛封裝技術授權合約 (2012.04.20)
快捷半導體(Fairchild)和英飛凌科技(Infineon)日前宣佈已就英飛凌的H-PSOF (附散熱片之小形扁平接腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術達成授權合約。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299) |
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Fairchild與Infineon簽訂車用MOSFET 封裝技術協議 (2012.04.11)
英飛凌 (Infineon) 和快捷半導體 (Fairchild)日前宣佈，針對英飛凌先進的車用 MOSFET 封裝技術 H-PSOF（帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝）簽訂授權協議，該技術是符合 JEDEC 標準的 TO 無導線封裝 (MO-299) |
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IR授予英飛凌科技DirectFET封裝技術授權同意書 (2007.09.28)
英飛凌科技與美商國際整流器公司（International Rectifier，IR）共同宣佈，英飛凌將取得國際整流器公司授權使用該公司獲得專利的先進功率管理封裝技術DirectFET。
DirectFET的設計專門運用在電腦、筆記型電腦、通訊及消費性電子裝置的AC-DC及DC-DC功率轉換應用上 |
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IR推出兩款新型DirectFET功率MOSFET (2005.10.14)
功率半導體及管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出兩款新型的DirectFET功率MOSFET。相比常用於網路及通訊系統的中功率200W DC-DC匯流排轉換器應用中的增強式SO-8元件，它們可以把系統層面的功率損耗減少10% |
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ST與Siliconix就雙面冷卻型MOSFET封裝技術達成授權 (2005.03.14)
ST與Siliconix宣佈達成一項合作協議，ST將由Siliconix獲得最新功率MOSFET封裝技術的授權，這項技術使用強制性空氣冷卻方法，透過元件頂端與底部的散熱路徑供了更優良的熱效能 |
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新一代MOSFET封裝的熱力計算 (2004.12.04)
新一代DirectFET功率元件具備小體積、低高度及迴路單純等特點，其中最重要的是擁有電子與散熱優勢；本文將介紹DirectFET的穩態熱傳效應，並說明如何利用特別設計的功率計算表，來讓此類元件的應用達到最佳效能 |
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Fairchild在PCIM China 2004重申其Power Franchise策略重點 (2004.03.30)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）藉著最近於中國上海舉行的PCIM China展覽會，再次強調其企業策略Power Franchise的重點；並宣佈授權GEM Services使用下一代MOSFET封裝技術；以及推出業界首個以BGA（球柵陣列）封裝帶有電晶體輸出的單通道光耦合器 Microcoupler |
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解析新世代MOSFET 封裝技術 (2003.10.05)
除了以IC設計方法實現高整合度之電源管理設計，目前也有先進的封裝技術可讓電源元件體積更小、散熱表現更高，達成節省電子產品內部空間的效果。本文將介紹最新的MOSFET封裝技術，為讀者剖析其優勢所在 |
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IR推出雙面冷卻封裝方案 (2002.01.30)
全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司（IR）於近日推出一套突破性的表面附著功率MOSFET封裝技術─DirectFET功率封裝。DirectFET是第一套採用SO-8規格的表面附著封裝技術，能提供高效率頂層冷卻(top-side cooling) |
