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創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰 |
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可在量產中實現良率管理的STT-MRAM磁性測試 (2021.06.02)
由於STT-MRAM（自旋轉移距－磁性隨機存取記憶體）具有快速、非揮發性、耐用，低功耗和可擴展的優點，是目前正迅速獲得關注的新記憶體技術之一。它是替代eFlash的強大候選者，尤其是對汽車、物聯網和其他低功耗應用特別有吸引力 |
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新一代記憶體發威 MRAM開啟下一波儲存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗，和更低的成本。此外，STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程，更可以挑戰快閃記憶體的低成本 |
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愛德萬測試研發出用於記憶測試系統STT-MRAM的切換電流測量系統 (2018.11.21)
半導體測試設備供應商愛德萬測試宣布其與日本東北大學創新整合電子系統中心〈CIES〉的合作，本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持，成功地研發出高速、高精確度模組，可以測量磁性隨機存取記憶體〈STT-MRAM〉中記憶束的切換電流，這是眾所期待用於愛德萬測試記憶測試系統的次世代記憶技術，運作速度為微安培/奈米秒 |
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針對奈米電子時代的非揮發性記憶體 (2010.02.02)
目前主流的基於浮閘快閃記憶體技術的非揮發性記憶體（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，快閃記憶體本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點 |
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Aviza推出12吋晶圓級離子束沉積系統 (2008.11.14)
半導體設備及製程技術專業供應商Aviza，近日宣佈推出全球第一臺12吋晶圓級離子束沉積系統。第一臺系統已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC |
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日廠商以MTJ技術達到邏輯與記憶晶片的整合 (2008.09.02)
日本東北大學電氣通信研究所與日立製作所，最近透過自旋電子技術和矽晶片技術，成功開發了運算功能和非揮發性記憶體功能一體化的晶片。在嵌入MOS電晶體的晶片上，通過層疊自旋電子技術的磁隧道（Magnetic Tunnel Junction；MTJ）元件達到這樣的目的 |
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檢視STT-RAM記憶體應用優勢 (2007.10.19)
旋轉力矩轉移隨機存取記憶體（STT-RAM）是一種透過自旋電流移轉效應所開發而出的新記憶體技術，屬於非揮發性記憶體的一種，其應用優勢包括無限次數的讀寫週期、低耗電，以及運算速度更快等，更適合嵌入式設計應用 |
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Cypress將出售MRAM事業部 (2005.02.17)
Cypress Semiconductor宣佈計畫售出旗下專門供應磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory, MRAM)的子公司Silicon Magnetic Systems (SMS)。Cypress執行長T.J. Rodgers表示：「經過三年的努力，Cypress於1月開始供應七家OEM客戶全功能MRAM樣品 |
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MRAM──更具行動應用前景的新世代記憶體 (2004.11.04)
MRAM擁有存取速度高、存取次數多、耗電量低及小體積、可嵌入式等特性，較現有的其他記憶體在可攜式電子產品的應用上更具優勢；本文將由MRAM的技術發展趨勢與廠商現況等面向，為讀者介紹此一新世代記憶體的應用前景 |
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投入MARM研發 三星表示已有重大技術突破 (2003.02.13)
據網站Silicon Strategies報導，在IBM、Cypress、Infineon、NEC及Motorola等業者相繼投入人力物力，開發最新磁電阻式隨機存取記憶體（MRAM）之後，南韓三星電子也宣布加入此一新型記憶體的研發行列，並表示該公司已在技術上獲得重大突破 |
