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Lam Research完成與Novellus Systems的合併交易 (2012.06.08)
Lam Research Corp.宣佈已完成與位於加州聖荷西的Novellus Systems, Inc.合併交易。
這項交易完成後，Novellus的股東將按1:1.125的比率將持有的Novellus普通股免稅兌換為Lam Research普通股 |
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半導體設備支出成長143% 微投影力道最強 (2011.04.06)
研究機構Gartner今（4/6）發表最新調查結果，2010年全球半導體設備市場已自為期兩年的衰退期中恢復，成長高達143%，近410億美元。最大的市場驅動力來自於自動測試設備（ATE）、晶圓廠設備(WFE)，以及封裝設備（PAE），營收分別勁揚149%、145%，與127% |
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諾發系統宣布開發conformal film deposition技術 (2010.10.19)
諾發系統近日宣佈，已經開發conformal film deposition（CFD）技術，可在高寬比4:1的結構上有100%的階梯覆蓋能力。這項創新的CFD技術可以提供32奈米以下在前段製程的需求，例如gate liners、spacers、shallow trench 隔絕的高介電金屬閘極（HKMG）liners和用在雙曝光技術的spacers |
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諾發系統推出晶圓級封裝系列產品 (2010.09.14)
諾發系統近日宣布，推出VECTOR PECVD, INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機型，這些新機型可以和諾發系統的先進金屬連線技術相輔相成，並且展開晶圓級封裝技術（WLP）的需求及市場 |
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諾發系統發表全新氮化鎢製程 (2010.05.19)
諾發系統（Novellus）日前宣布開發出一種創新的DirectFill化學氣相沉積氮化鎢（WN）線性阻隔膜，取代傳統的物理氣相沉積（PVD）金屬鈦及有機化學氣相沉積法（MOCVD）氮化鈦堆積成線性阻隔薄膜用於先進記憶體元件的鎢接觸傳導和銅線互連傳導應用 |
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諾發發表新一代電漿化學氣相沉積製程 (2010.05.05)
諾發系統日前宣佈，已在VECTOR PECVD平台上開發出，具有晶圓對晶圓間膜厚變異小於2埃的精密抗反射層薄膜（ARL）。這種新製程採用VECTOR特有的多重平台序列式沉積工藝技術架構（MSSP），以達成沉積的ARL薄膜具有格外均勻的薄膜厚度，折射率（n）和消光係數（K） |
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前進22奈米 諾發、IBM、CNSE成立策略合作聯盟 (2010.03.12)
諾發系統近日宣佈，該公司與東菲什克爾的IBM、紐約奧爾巴尼的紐約大學奈米科學與工程學院（CNSE），日前於CNSE的Albany奈米科技中心共同成立策略合作聯盟 ，將致力於發展22奈米以及更小世代的半導體製程技術的解決方案 |
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諾發系統宣告售出第1000台化學氣相沉積系統 (2010.02.28)
諾發系統日前宣佈，已賣出第1000台化學氣相沉積系統給新加坡GLOBALFOUNDRIES Fab 7， GLOBALFOUNDRIES為半導體製造技術之供應者，近期並與Chartered Semiconductor Manufacturing進行整合，Fab 7亦會將12吋VECTOR Express應用於65奈米及更先進技術的大量生產 |
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諾發系統啟用新型超紫外線熱力學製程系統 (2010.02.03)
諾發系統（Novellus）於日前宣布，已導入超紫外線熱力學製程系統 SOLA xT，將其應用在先進的45奈米以下的邏輯元件生產，其利用超紫外線的照射來改善前一道製程鍍上的薄膜特性，這一新系統可監控紫外線強度及提供客製化的波長光線組合，因此可將系統延用到多世代 |
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諾發SPEED MAX系統擴展應用到32奈米技術 (2009.10.22)
諾發系統宣布開發出一種製造工藝來延伸公司的SPEED MAX系統在隔離淺溝槽（STI）充填沉積應用到32奈米技術節點。這種新工藝技術利用SPEED MAX高密度電漿化學氣相沉積（HDP-CVD）的平台發揮動態配置控制(DPC)的功能效果 |
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諾發32奈米介電質技術可解決RC遲滯問題 (2009.04.02)
為了使積體電路元件的性能跟上摩斯定律（Moore’s Law），積體電路設計人員在驅策技術節點縮小化時必需減緩RC遲滯效應。為達到元件縮小所帶來的應有的積效進而增加45奈米以下導線間的空間縮小所帶來的挑戰 |
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ASML在台招募人才以因應亞洲業務成長 (2007.06.12)
全球半導體產業微影技術廠商ASML Holding NV(ASML)宣布，到年底之前該公司預計在台灣再招募79人以支援亞洲地區日益擴大的客戶群需求；同時ASML也宣佈新人事案，將由產業經驗豐富的劉興凱出任台灣區總經理一職，負責台灣區的營運及管理 |
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FSA於SEMICON China 2006 設立集成電路代工專區 (2006.03.22)
全球IC設計與委外代工協會FSA於SEMICON China 2006內設立的集成電路代工專區已在今天揭開序幕，展覽會場位於中國上海的新國際博覽中心(SNIEC)。
此次FSA、SEMI以及SICA合作設立的專區是為了促進無晶圓公司與供應商之間的合作關係並進而緊密結合產業供應鏈的上下游 |
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諾發系統贏得台積電最佳產品獎 (2006.01.13)
半導體業先進製程生產技術導廠商諾發系統公司，13日宣佈台積電（TSMC）以2005年最佳產品獎，認可諾發SABRE NExT銅電化學沉積系統的優異效能。
台積電營運組織副總羅唯仁博士表示：「SABRE NExT的領先技術及其低作業成本與高生產力，是讓我們300mm晶圓產量躍昇的重要關鍵因素之一 |
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諾發系統發表次90奈米電介質紫外線熱處理系統 (2006.01.05)
半導體沉積、表面處理和化學機械平整化製程廠商諾發系統(Novellus Systems)，針對介電薄膜沉積後製程，推出獨立式紫外線熱處理(UVTP)系統。SOLA針對300mm晶圓量產而設計，可解決下一代消費性電子產品要求的新材料與製造技術需求 |
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諾發系統推出次90奈米電介質紫外線熱處理系統 (2005.12.08)
半導體業界先進沉積、表面處理和化學機械平整化製程之生産力及技術領先廠商諾發公司(Novellus Systems)，今日針對先進介電薄膜沉積後製程，推出業界首台獨立式紫外線熱處理(UVTP)系統 |
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大廠紛加碼資本支出 設備業者期待春天 (2005.01.17)
據外電報導，半導體大廠英特爾（Intel）、三星電子（Samsung Electronics）等大廠宣布2005年度加碼資本支出，也讓半導體設備大廠應用材料（Applied Materials）、諾發（Novellus Systems）、KLA-Tencor等業者前景看俏 |
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多孔性低介電常數材料的非損害性清洗製程 (2004.12.04)
本文所探討的晶圓表面處理技術，將介紹如何在批次型噴霧清洗設備的協助下，利用飽和臭氧含量的去離子水來處理化學氣相沉積的有機矽玻璃低介電常數薄膜，並且分析所得到的光阻去除結果；這項製程不會導致低介電常數性質或微距的改變，此外也證明利用腐蝕抑制劑，就能降低臭氧製程對銅腐蝕效應 |
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全球奈米電子技術現況與趨勢探討 (2004.08.04)
為成為下一世代的市場贏家，奈米級先進製程已經成為全球各大半導體產商積極投入之研究領域，而隨著製程不斷朝向65奈米、45奈米及32奈米以下尺寸推進，所面臨的技術挑戰也更加艱難 |
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Novellus推出Xceda方案 (2004.06.24)
Novellus Systems 推出Xceda方案，這款12吋晶圓化學機械拋光 (chemical mechanical planarization, CMP) 平台系統超越65奈米及其以下環境對CMP在技術與經濟層面的需求。Xceda能幫助客戶克服新一代多層式銅/低介電係數材料結構在拋光製程方面的挑戰，並減少40%的研磨液使用量，藉此大幅降低持有成本 |
